Q3全球存儲市場規(guī)模環(huán)比增長16% 2023DRAM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

• 黃文玉 2023年12月6日 來源：互聯(lián)網(wǎng) CFM閃存 646 37
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動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每一個(gè)比特的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個(gè)比特通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點(diǎn)。與大部分的隨機(jī)存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器設(shè)備。

DRAM行業(yè)市場發(fā)展現(xiàn)狀分析

據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2023年第三季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比7.5%至98.12億美元，DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長22.4%至130.63億美元。整體來看，繼第二季度環(huán)比增長9%之后，第三季度全球存儲市場規(guī)模再度環(huán)比增長16%至228.75億美元，同比跌幅進(jìn)一步縮小到-28%。其中，SK海力士再次超過鎧俠在NAND Flash市場份額排名中達(dá)到第二位，并憑借在服務(wù)器市場的出色表現(xiàn)在DRAM市場中縮小了與三星的市場份額差距。

DRAM通常以一個(gè)電容和一個(gè)晶體管為一個(gè)單元排成二維矩陣。基本的操作機(jī)制分為讀(Read)和寫(Write)，讀的時(shí)候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后再把晶體管打開讓BL和電容產(chǎn)生電荷共享的現(xiàn)象，若內(nèi)部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內(nèi)部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經(jīng)過放大器來判別出內(nèi)部的值為0和1。寫的時(shí)候會把晶體管打開，若要寫1時(shí)則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時(shí)則把BL降低到0伏特使電容內(nèi)部沒有電荷。

DRAM存儲器上游產(chǎn)業(yè)主要為半導(dǎo)體芯片，集成電路作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，因?yàn)槠浼夹g(shù)的復(fù)雜性，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)具備高度專業(yè)化的特征，可細(xì)分為IC設(shè)計(jì)業(yè)、芯片制造業(yè)及IC封裝測試業(yè)三個(gè)子產(chǎn)業(yè)群。DRAM存儲器下游產(chǎn)業(yè)主要為移動終端(PC、智能手機(jī)、平板電腦以及服務(wù)器等產(chǎn)品)、可穿戴設(shè)備等。

隨機(jī)存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外，見下文)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲媒介。主存(Main memory)即電腦內(nèi)部最主要的存儲器，用來加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運(yùn)行與運(yùn)用。由于DRAM的性價(jià)比很高，且擴(kuò)展性也不錯，是現(xiàn)今一般電腦主存的最主要部分。2014年生產(chǎn)電腦所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化，筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報(bào)告》顯示：

就全球存儲芯片定位而言，2021年DRAM占比全球儲存市場61%的市場份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲器，多用與cpu緩存和圖像系統(tǒng)的幀緩存區(qū)，起到臨時(shí)儲存數(shù)據(jù)的功能，如遇斷電則數(shù)據(jù)則會丟失信息，更大的緩存空間代表同時(shí)可處理和儲存的數(shù)據(jù)更多，屬與電子設(shè)備必須的組成部分。全球DRAM或Flash市場價(jià)格分為合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)，價(jià)格走勢是跟蹤景氣變化的關(guān)鍵指標(biāo)，合約價(jià)：ContractPrice，大客戶，價(jià)格按照協(xié)議合約走，定期議價(jià)，不受期間價(jià)格波動影響，占比約90%。

就全球DRAM下游需求結(jié)構(gòu)而言，2021年第一大市場智能手機(jī)占比39%，具體而言，2021年全球智能手機(jī)出貨量達(dá)13.5億臺，同比2020年增長5.7%;第二大市場服務(wù)器占比34%，具體而言，出貨量和銷售額分別為1353.9萬臺和992.2億美元，同比2020年增長6.9%和6.4%;PC端整體出貨量同比2020年增長14.8%，但受整體核心配件GPU價(jià)格高漲影響，DIY需求和辦公需求萎縮，整體市占率下降，僅占比13%。

就全球DRAM市場規(guī)模變動而言，受下游智能手機(jī)和服務(wù)器等消費(fèi)電子不斷擴(kuò)容、IoT為代表的消費(fèi)升級以及大數(shù)據(jù)云計(jì)算技術(shù)不斷突破的背景下，存儲器市場快速發(fā)展，同時(shí)因?yàn)楣鑳r(jià)原材料高漲帶動價(jià)格上升，產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)為明顯的量價(jià)齊升趨勢，數(shù)據(jù)顯示，2021年全球DRAM市場規(guī)模達(dá)949億美元，同比2020年增長41.6%。

數(shù)據(jù)顯示，截止2021年年底，全球DRAM產(chǎn)能約為150萬片/月，其中國產(chǎn)企業(yè)合肥長鑫已達(dá)到6萬片/月8 GB DDR4(19nm)，占比全球主要DRAM產(chǎn)能的4%。預(yù)計(jì)隨著2022年17nm DDR5投產(chǎn)，整體國產(chǎn)化水平將進(jìn)一步推進(jìn)。DRAM市場呈現(xiàn)明顯的新型DRAM產(chǎn)品逐漸取代老款DRAM趨勢，老款DRAM逐漸被淘汰或轉(zhuǎn)為利基型DRAM。第一代DDR已經(jīng)停產(chǎn)，DDR2在2010年占比高達(dá)30%，而這一比例到2020年僅剩1%，僅應(yīng)用在利基市場。目前DDR型DRAM市場上，速度更快的DDR4占主要比例。2020年占比達(dá)到78%左右，在DDR5未全面量產(chǎn)下有望進(jìn)一步提高比例。

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  2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調(diào)研及投資策略預(yù)測報(bào)告

  DRAM行業(yè)研究報(bào)告中的DRAM行業(yè)數(shù)據(jù)分析以權(quán)威的國家統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，采用宏觀和微觀相結(jié)合的分析方式，利用科學(xué)的統(tǒng)計(jì)分析方法，在描述行業(yè)概貌的同時(shí)，對DRAM行業(yè)進(jìn)行細(xì)化分析，重點(diǎn)企業(yè)狀況等...

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