近一兩年的NOR Flash市場得到了飛速增長。該增速主要得益于汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊(如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備)等需求的推動。小到汽車攝像頭大到高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都對NOR Flash有大量需求。
近一兩年的NOR Flash市場得到了飛速增長。該增速主要得益于汽車電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊(如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備)等需求的推動。小到汽車攝像頭大到高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都對NOR Flash有大量需求。到2021年僅在ADAS領(lǐng)域NOR Flash的市場空間就將達(dá)到6.7億美元。
根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用調(diào)研報告》顯示：
一、車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用企業(yè)競爭格局
存儲芯片是應(yīng)用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。國外廠商憑借先發(fā)優(yōu)勢以及在終端市場的品牌優(yōu)勢，占據(jù)了大部分的市場份額。
NANDFlash的市場由三星、西數(shù)、鎧俠等6家企業(yè)壟斷。目前NANDFlash的發(fā)展方向是3D堆疊，國外先進(jìn)企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NANDFlash。國產(chǎn)廠商長江存儲已宣布128層產(chǎn)品研發(fā)成功，與國外先進(jìn)企業(yè)的差距越來越小，已成為存儲國產(chǎn)自主化的中堅力量。國內(nèi)還有SLCNAND的設(shè)計企業(yè)，包括北京君正、兆易創(chuàng)新等。
二、車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用市場發(fā)展現(xiàn)狀
三星電子、鎧俠、海力士、美光科技等專注于大容量的NANDFlash，目前SLCNAND其他供應(yīng)商主要為中國臺灣和大陸廠商包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新等企業(yè)，其中華邦電子和旺宏電子占據(jù)了較高的市場份額，隨著國產(chǎn)化需求的不斷提高，國內(nèi)企業(yè)將迎來良好的發(fā)展契機(jī)。
SLCNAND的技術(shù)發(fā)展趨勢主要為提升產(chǎn)品制程以及提高產(chǎn)品的性能。在制程節(jié)點方面，SLCNAND領(lǐng)域成熟的工藝水平已經(jīng)達(dá)到1xnm，采用此工藝水平的產(chǎn)品已經(jīng)大量出貨，未來產(chǎn)品將進(jìn)一步微縮制程。
在產(chǎn)品性能方面，SLCNAND最重要的性能指標(biāo)是可靠性、功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度等。目前SLCNAND擦寫次數(shù)達(dá)到10萬次，數(shù)據(jù)保存時間達(dá)到10年;在功耗方面待機(jī)電流達(dá)到10μA;在傳輸速度方面，當(dāng)前SLCNAND芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率約為104MHz。未來SLCNAND芯片主要在降低成本和功耗、提升數(shù)據(jù)讀取速度、提升可靠性等方面進(jìn)行技術(shù)升級。
2022年，176層3D NAND或?qū)⒊蔀槭袌龈偁幍闹餍?。?dāng)前各大原廠的主力工藝在96層和128層，176層的產(chǎn)能占比約為5%，2022年，這個比重預(yù)計將進(jìn)一步提升，預(yù)計到2022年底176層NAND的產(chǎn)出比重將超過25%。由于NAND Flash堆疊層數(shù)的技術(shù)推進(jìn)，未來供應(yīng)商仍將持續(xù)追求推進(jìn)更高層數(shù)，以降低每GB的生產(chǎn)成本。因此，預(yù)期該產(chǎn)業(yè)的資本支出仍有增長空間，供應(yīng)商同時開始研發(fā)2XX層產(chǎn)品技術(shù)。
三、車載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用產(chǎn)能競爭格局
近兩年來，三星和鎧俠在NAND Flash市場上的投資熱度不減，2020年三星位于中國西安二期1階段開始投產(chǎn)，新建的二期第二階段項目也在2021年下半年竣工，而平澤P2工廠投資8兆韓元新建NAND Flash產(chǎn)線也在2021下半年開始量產(chǎn)， 2021年三星產(chǎn)能增加明顯。
鎧俠與西部數(shù)據(jù)Fab6工廠在2021年持續(xù)提高NAND Flash Wafer產(chǎn)量，位于巖手縣北上市的新工廠K1已在2020年開始少量投產(chǎn)， 2021年Wafer產(chǎn)量有明顯增加。此外，鎧俠四日市存儲器生產(chǎn)基地北側(cè)正在新建Fab7工廠，第一階段建設(shè)計劃于2022年春季完成，還將在現(xiàn)有的K1工廠旁擴(kuò)產(chǎn)K2廠區(qū)，計劃2022年春季完成，未來3年內(nèi)，鎧俠與西部數(shù)據(jù)NAND Flash Wafer產(chǎn)能將呈持續(xù)增長之勢。
長江存儲國家存儲器項目總投資240億美元，分兩期建設(shè)3DNAND閃存晶圓廠。一期主要實現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬片月產(chǎn)能。二期項目追加產(chǎn)能20萬片，建成后長江存儲總產(chǎn)能將達(dá)30萬片，預(yù)計到2023年，長江存儲在全球3DNANDFlash產(chǎn)能中的占比將提高到10.8%，根據(jù)規(guī)劃2030 年長江存儲計劃實現(xiàn)100萬片月產(chǎn)能，進(jìn)一步提升自身全球市占率。
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本研究咨詢報告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫，在大量周密的市場調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國家統(tǒng)計局、國家商務(wù)部、國家發(fā)改委、國家經(jīng)濟(jì)信息中心、國務(wù)院發(fā)展研究中心、國家海關(guān)總署、全國商業(yè)信息...
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