南京打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地 第三代半導(dǎo)體是什么意思 半導(dǎo)體行業(yè)未來預(yù)測

• 劉明月 2023年7月17日 來源：南京發(fā)布 1257 82
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據(jù)南京發(fā)布，7月19日至21日，2023世界半導(dǎo)體大會(huì)將在南京舉辦大會(huì)以“芯紐帶，新未來”為主題聚焦行業(yè)新市場、新產(chǎn)品、新技術(shù)積極探討未來發(fā)展方向與機(jī)遇促進(jìn)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。南京錨定產(chǎn)業(yè)強(qiáng)市建設(shè)戰(zhàn)略部署，將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群作為需積極搶占的六個(gè)未來

南京打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地

據(jù)南京發(fā)布，7月19日至21日，2023世界半導(dǎo)體大會(huì)將在南京舉辦大會(huì)以“芯紐帶，新未來”為主題聚焦行業(yè)新市場、新產(chǎn)品、新技術(shù)積極探討未來發(fā)展方向與機(jī)遇促進(jìn)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。南京錨定產(chǎn)業(yè)強(qiáng)市建設(shè)戰(zhàn)略部署，將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群作為需積極搶占的六個(gè)未來產(chǎn)業(yè)新賽道之一，緊抓機(jī)遇，奮力打造國內(nèi)具有影響力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。

第三代半導(dǎo)體是什么意思

第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制 ，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體材料具有較好的電子密度和運(yùn)動(dòng)控制能力，更適用于制造高溫、高頻、抗輻射和大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前，市場熱點(diǎn)5G基站、新能源車和快速充電是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用場所。

新一代信息技術(shù)與工業(yè)化深度融合加快，為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造巨大空間。如北京市順義區(qū)已初步形成從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，集聚了泰科天潤、國聯(lián)萬眾、瑞能半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)20余家。論壇上，國聯(lián)萬眾碳化硅功率芯片二期等6個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約，預(yù)計(jì)總投資近18億元。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟等聯(lián)合發(fā)布倡議，聚焦重點(diǎn)市場需求，在新能源汽車、光伏儲能、新型顯示等領(lǐng)域推廣應(yīng)用基于第三代半導(dǎo)體材料的“綠色芯”“健康芯”;聚焦產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，共同組建創(chuàng)新聯(lián)合體，強(qiáng)化公共技術(shù)服務(wù)能力和標(biāo)準(zhǔn)化能力建設(shè)，形成產(chǎn)學(xué)研緊密合作、上下游鏈條打通、大中小企業(yè)共生發(fā)展的協(xié)同創(chuàng)新局面。

此前商務(wù)部宣布對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，未經(jīng)許可不得出口。這兩種都是半導(dǎo)體行業(yè)中的關(guān)鍵材料之一，根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局(USGS)公布的數(shù)據(jù)，目前全球金屬鎵的儲量約為27.93萬噸，而中國的儲量最多，達(dá)到19萬噸，占全球儲量的68%左右。相比之下，美國的儲量還不到中國的1/40，只有0.45萬噸。

據(jù)中研研究院《2023-2028年中國半導(dǎo)體行業(yè)深度調(diào)研及投資前景分析報(bào)告》顯示

半導(dǎo)體行業(yè)未來預(yù)測

伴隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等行業(yè)的迅速發(fā)展，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)入快速發(fā)展階段，市場前景廣闊。中國國內(nèi) MOSFET 市場規(guī)模為 46.6 億美元，預(yù)計(jì)到 2025 年將達(dá)到 64.7 億美元，復(fù)合增長率為 8.55%，增速高于全球市場。

我國發(fā)展第三代半導(dǎo)體也被寫入 " 十四五 " 規(guī)劃。規(guī)劃要求，要加強(qiáng)原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)。其中，在集成電路層面，包括集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管 ( IGBT ) 、微機(jī)電系統(tǒng) ( MEMS ) 等特色工藝突破，先進(jìn)存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。

當(dāng)前，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼，在現(xiàn)代工業(yè)、通信等領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用前景。蘇州、長沙、合肥、南昌等地都在布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，希望提高在全球的競爭力。

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì) (SIA)公布數(shù)據(jù)顯示，2023年5月全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額總計(jì)407億美元，比2023年4月的400億美元總額增長1.7%。SIA總裁兼執(zhí)行長John Neuffer表示，市況相較2022年仍低迷，但全球芯片銷售額已連續(xù)三個(gè)月小幅上升，激起人們對市場在下半年反彈的樂觀情緒。

從產(chǎn)量來看，中國產(chǎn)量占比全球鎵產(chǎn)量最高。德國和哈薩克斯坦分別于2016年和2013年停止了鎵生產(chǎn)，不過2021年德國宣布將在年底前重啟初級鎵生產(chǎn)，匈牙利和烏克蘭分別于2015年和2019年停止鎵生產(chǎn)。目前中國鎵占比全球鎵產(chǎn)量持續(xù)提升，截止2021年，占比全球鎵產(chǎn)量已超90%。

從半導(dǎo)體行業(yè)市場空間來看，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)市場較為廣闊。目前，全球半導(dǎo)體銷售額超過5000億美金，市場空間較大，龍頭公司普遍市值高達(dá)千億美金。

國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有政策大力支持、下游廣闊市場和工程師紅利三重優(yōu)勢，考慮到目前國產(chǎn)化率僅不到10%，半導(dǎo)體行業(yè)市場普遍預(yù)測我國半導(dǎo)體行業(yè)未來5年有望實(shí)現(xiàn)15%CAGR增長。

從半導(dǎo)體行業(yè)投資階段分布來看，出于規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)的考慮以及對于資本回報(bào)率的要求，擴(kuò)張期企業(yè)依舊更受資本的關(guān)注。2022年下半年擴(kuò)張期投資數(shù)量為793起，占比45%;投資總額為39.02億美元，占比47%。PIPE(定增)企業(yè)的投資金額占比環(huán)比出現(xiàn)一定幅度的上升，由于定增在市場發(fā)行價(jià)格上一般會(huì)有一定折扣率，在市場整體低迷的情況下，更會(huì)被資本關(guān)注。

由于我國對于大力發(fā)展科技的政策鼓勵(lì)以及深化改革創(chuàng)新的加快推動(dòng)，科技行業(yè)在各個(gè)階段都受到資本的青睞，在初創(chuàng)期、擴(kuò)張期、成熟期的企業(yè)的投資數(shù)量占比均持續(xù)上升，不過投資金額占比較上半年小幅下降。

全球半導(dǎo)體市場急劇增長，主要來源于電腦等電子產(chǎn)品需求增長、手機(jī)和車用市場應(yīng)用需求增加等，加上中美貿(mào)易摩擦的轉(zhuǎn)單效應(yīng)，使晶圓代工廠產(chǎn)能出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。中國臺灣晶圓代工產(chǎn)值加速上漲增速達(dá)到24.2%，增速雖有放緩，但仍高達(dá)19.1%。

全球收入排名前十的半導(dǎo)體公司，分別是三星、英特爾、SK海力士、高通、美光、博通、AMD、德州儀器、聯(lián)發(fā)科、蘋果。

2021-2025 年全球半導(dǎo)體功率器件市場將由 259 億美元增至 357 億美元，年復(fù)合增速約為 8.4%。其中，MOSFET(含模塊)2021 年市場規(guī)模約為 104 億美元，總體趨于穩(wěn)定，至 2025 年，占比預(yù)計(jì)達(dá) 29%;IGBT(含模塊)2025 年市場規(guī)模將快速增至 136 億美元，占比約為 38%，2021-2025 年年復(fù)合增長率約為 12.8%;全球 SiC 功率器件 2025 年市場規(guī)模約 43 億美元，2021 年至 2025 年復(fù)合增長率約為 42%。

更多行業(yè)消息，請點(diǎn)擊中研研究院出版的《2023-2028年中國半導(dǎo)體行業(yè)深度調(diào)研及投資前景分析報(bào)告》。

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