2023年中國IGBT行業(yè)發(fā)展現狀及發(fā)展趨勢分析

• 李基錦 2023年12月15日 來源：互聯網 1420 94
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功率半導體主要用于電力設備的電能變換和電路控制，是進行電能處理的核心器件，弱電控制與強電運行間的橋梁,細分產品主要有MOSFET、BJT、IGBT等，而IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導體器件之一。

功率半導體主要用于電力設備的電能變換和電路控制，是進行電能處理的核心器件，弱電控制與強電運行間的橋梁,細分產品主要有MOSFET、BJT、IGBT等，而IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導體器件之一。

IGBT也稱絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。一般MOSFET器件或模組可承受電壓范圍為20-800V，而IGBT可承受1000V以上的高電壓，因而是電子領域較為理想的開關器件。

IGBT產業(yè)鏈的上游原材料主要為硅晶圓、光刻板、引線框架、新型寬禁帶材料以及其他輔助材料等;中游包括產品的設計、研發(fā)生產和封裝等工序，產品大致可以分為功率分立器件、功率IC和功率模組三大類，目前專業(yè)從事IGBT產品研發(fā)設計和銷售的企業(yè)主要有英飛凌、三菱、富士電機、安森美、斯達半導、士蘭微、時代電氣等等;產業(yè)鏈的下游應用市場有消費電子、家用電器、軌道交通、工業(yè)控制、網絡通信、軍工航天以及新能源產業(yè)鏈。

IGBT行業(yè)發(fā)展現狀

IGBT是目前發(fā)展最快的功率半導體器件之一。據YOLE數據顯示，2022年全球IGBT的市場規(guī)模約為68億美元，受益于新能源汽車、新能源、工業(yè)控制等領域的需求大幅增加，預計2026年全球IGBT市場規(guī)模將達到84億美元。中國是全球最大的IGBT市場，約占全球IGBT市場規(guī)模的40%，預計到2025年中國IGBT市場規(guī)模將達到522億元。

近年來，中國IGBT行業(yè)受到各級政府的高度重視和國家產業(yè)政策的重點支持。國家陸續(xù)出臺了多項政策，鼓勵IGBT行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，《關于鞏固回升向好趨勢加力振作工業(yè)經濟的通知》《關于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質企業(yè)的指導意見》《基礎電子元器件產業(yè)發(fā)展行動計劃(2021-2023年)》等產業(yè)政策為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場前景，為企業(yè)提供了良好的生產經營環(huán)境。

為了推動功率半導體行業(yè)尤其是 IGBT產業(yè)健康快速發(fā)展，國家相關部門不僅制定了相關的一系列政策措施，還不斷加大金融扶持力度。其中，IGBT曾被劃為國家專項重點扶持項目實施長達15年，該項目已于2021年成功收官。同時，IGBT 國產化還是國家十四五規(guī)劃中關鍵半導體器件的發(fā)展重點之一。在國家政策引導和市場需求持續(xù)增長和的雙重刺激下，吸引了一批擁有豐富科研經驗的IGBT技術人才回國，同時也為斯達半導、士蘭微、比亞迪、時代電氣等企業(yè)提供了掌握IGBT核心技術的機會，進一步推進IGBT國產化進程，早日擺脫IGBT產品進口依賴這一現狀。

IGBT是我國重大科技突破專項中的重點扶持項目，自2015年以來我國IGBT自給率超過10%并逐漸增長，預計2023年我國IGBT自給率將達32.9%。基于國家相關政策中提出核心元器件國產化的要求，國產替代成為國內IGBT行業(yè)的發(fā)展趨勢和促進行業(yè)內企業(yè)發(fā)展的主要驅動因素。

根據中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國IGBT行業(yè)發(fā)展現狀及趨勢預測報告》分析

IGBT 市場競爭格局

從全球市場競爭格局來看，歐美日廠商資金實力雄厚、技術水平領先、產業(yè)經驗豐富， 憑借先發(fā)優(yōu)勢搶占了全球功率半導體絕大多數的市場份額，并且一直保持較大的領先優(yōu)勢。 國內廠商在全球競爭中不具備優(yōu)勢，所占市場份額較低。在國內市場競爭格局中，國際大廠 仍占據絕大部分市場份額，國產化率低于 20%。 得益于 IGBT 產品更新迭代緩慢，給予本土 IGBT 企業(yè)技術追趕時間，部分企業(yè)已實現 技術突破，并快速搶占市場。根據 2021 年英飛凌財報顯示，本土企業(yè)士蘭微在全球 IGBT 單管及 IPM 市占率達到 3.5%、2.2%，均位列全球第八;斯達半導在全球 IGBT 模塊市占率 達 3.0%，位列全球第六。

行業(yè)發(fā)展趨勢分析

國家政策有力支持

《中華人民共和國國民經濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》在作為我國“十四五”時期根本性政策規(guī)劃文件，對我國“十四五”時期發(fā)展有著重要指導作用。其中明確指出，在事關國家安全和發(fā)展全局的基礎核心領域，制定實施戰(zhàn)略性科學計劃和科學工程。瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領域，實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目。從國家急迫需要和長遠需求出發(fā)，集中優(yōu)勢資源攻關新發(fā)突發(fā)傳染病和生物安全風險防控、醫(yī)藥和醫(yī)療設備、關鍵元器件零部件和基礎材料、油氣勘探開發(fā)等領域關鍵核心技術。

新型功率半導體器件行業(yè)是我國重點鼓勵和支持的產業(yè)之一，為推動節(jié)能減排，促進電力電子技術和產業(yè)的發(fā)展，國家發(fā)改委等有關部門陸續(xù)出臺資金補貼計劃，支持新型電力電子器件產業(yè)化。未來國家產業(yè)政策的支持將會不斷推動功率半導體器件行業(yè)的技術進步，形成先進技術的自有知識產權，優(yōu)化國產功率半導體器件的產品結構。

新能源汽車帶動行業(yè)快速發(fā)展

IGBT在新能源汽車中主要用于電機電控的生產制造，其在新能源汽車的成本比重約為5%左右。而隨著近年來IGBT在新能源汽車的應用比例不斷提高，加上大功率電動汽車對IGBT的要求也逐漸提升，使得IGBT在新能源汽車的成本比重不斷提升。隨著新能源汽車規(guī)模的迅速擴展，也將帶動IGBT行業(yè)快速發(fā)揮發(fā)展。

國產替代為行業(yè)發(fā)展重點目標

當前我國IGBT等高技術、高附加值的新型功率器件產品的國產化程度較較低，進口依賴程度較大。近年來，國家高度重視IGBT等半導體產業(yè)的發(fā)展，出臺一系列政策來推進產品國產化進程，國產替代也成為國內IGBT行業(yè)的發(fā)展趨勢和促進行業(yè)內企業(yè)發(fā)展的主要驅動因素。目前，國內IGBT相關企業(yè)的技術研發(fā)相繼取得成功，比亞迪、斯達半導、中車集團等企業(yè)已實現部分相關產品的量產，此外華為也已組建專門負責IGBT技術研發(fā)的人才團隊?？梢灶A見，國產替代將是行業(yè)未來發(fā)展主旋律。

了解更多本行業(yè)研究分析詳見中研普華產業(yè)研究院《2023-2028年中國IGBT行業(yè)發(fā)展現狀及趨勢預測報告》。同時, 中研普華產業(yè)研究院還提供產業(yè)大數據、產業(yè)研究報告、產業(yè)規(guī)劃、園區(qū)規(guī)劃、產業(yè)招商、產業(yè)圖譜、智慧招商系統(tǒng)、IPO募投可研、IPO業(yè)務與技術撰寫、IPO工作底稿咨詢等解決方案。

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