國產(chǎn)功率半導(dǎo)體迎發(fā)展機遇 功率半導(dǎo)體行業(yè)供需預(yù)測2023

• 劉明月 2023年7月19日 來源：百度百科 中研網(wǎng) 524 28
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據(jù)了解，士蘭微、華潤微、揚杰科技、聞泰科技、斯達半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能等A股功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)，過去五到十年迎來了高速發(fā)展期。功率器件多樣化應(yīng)用決定了市場集中度不高，全球第一大廠商市占率不到20%。由于功率半導(dǎo)體生命周期迭代慢的特有屬性，使得國產(chǎn)廠商更

國產(chǎn)功率半導(dǎo)體迎發(fā)展機遇

據(jù)了解，士蘭微、華潤微、揚杰科技、聞泰科技、斯達半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能等A股功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)，過去五到十年迎來了高速發(fā)展期。功率器件多樣化應(yīng)用決定了市場集中度不高，全球第一大廠商市占率不到20%。由于功率半導(dǎo)體生命周期迭代慢的特有屬性，使得國產(chǎn)廠商更有機會追上歐美大廠。

近日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(下稱“大基金二期”)再次向士蘭微拋出橄欖枝，其與士蘭微共同向成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司增資近16億元，為進一步推動汽車級功率模塊項目建設(shè)。

一定要加快產(chǎn)能的建設(shè)，讓碳化硅器件的產(chǎn)能跟上新能源市場的需求;二是加快主驅(qū)芯片可靠性驗證工作，目前碳化硅最大的應(yīng)用場景就是新能源汽車的電驅(qū)部分，而電驅(qū)對芯片的可靠性要求極高，一般對芯片的驗證周期在一年半以上，因此必須抓住時間窗口，盡快通過可靠性驗證工作;三就是加快第三代半導(dǎo)體人才的培養(yǎng)，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是一個非常新興的行業(yè)，國內(nèi)外相關(guān)人才都非常稀缺，必須加快自身人才的培養(yǎng)，這也是行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。

中研普華產(chǎn)業(yè)院研究出版的《2022-2027年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)供需預(yù)測及投資潛力研究報告》顯示

功率半導(dǎo)體行業(yè)供需預(yù)測2023

中國工信部發(fā)布了《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃(2021-2023年)》，支持國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展，提出到2023年，電子元器件銷售總額達到21000億元，形成一批具有國際競爭優(yōu)勢的電子元器件企業(yè)，力爭15家企業(yè)營收規(guī)模突破100億元。

功率電子模塊的集成度半導(dǎo)體模塊之間的差異，不僅僅體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)集成度不同，可分為以下幾類：標(biāo)準(zhǔn)模塊，智能功率模塊(ipm)，(集成)子系統(tǒng)。通常，小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。

用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動器和保護電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣最大的ipm是賽米控的skiip?，已面市超過了10年。這種無底板ipm系列產(chǎn)品的最大額定電流是2400a，包括一個驅(qū)動器和保護功能，加上電流傳感器、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風(fēng)冷或水冷冷卻器上，并在供貨前進行全面的測試。

國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘管、低壓MOSFET(非車規(guī))等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國產(chǎn)化率相對較高”等特點。在中高端領(lǐng)域，如SJMOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車規(guī)產(chǎn)品，由于起步晚、工藝相對復(fù)雜以及缺乏車規(guī)驗證機會等問題，國內(nèi)廠家依然在追隨海外廠家技術(shù)發(fā)展路線。但近年來，市場逐漸從依賴進口向國內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變，國產(chǎn)替代潛力大。

國家和地方政策支持，加速國產(chǎn)替代進程。受益于國家和地方政府的鼓勵政策，國內(nèi)電動汽車與充電樁、光伏與儲能等領(lǐng)域需求增長，功率半導(dǎo)體競爭格局有望被重塑——國內(nèi)功率半導(dǎo)體的國產(chǎn)化進程有望加速。

功率半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費電子、軌道交通、工業(yè)電機、儲能、航空航天和軍工等眾多領(lǐng)域。

數(shù)據(jù)顯示，行業(yè)前三名企業(yè)的市場份額合計達51%。其中英飛凌占比最多，達27%;三菱排名第二，占比14%;安森美占比10%，位居第三。本土企業(yè)中，士蘭微在全球IGBT單管及IPM市占率達到3.5%、2.2%，均位列全球第八;斯達半導(dǎo)在全球IGBT模塊市占率達3.0%，位列全球第六。

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣闊，近年來數(shù)字經(jīng)濟、人工智能、光伏能源、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，均為功率半導(dǎo)體帶來了新的需求增長點，其市場規(guī)模不斷增長。全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為452億美元，預(yù)計2023年將超過500億美元。

半導(dǎo)體市場規(guī)模位居全球第一，占比達40%。

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中功率芯片占比超過50%，是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的主要細(xì)分產(chǎn)品，其次為功率半導(dǎo)體分立器件，全球功率芯片和功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品占比分別為55.78%和32.03%。

數(shù)據(jù)顯示，功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將顯著受惠于電動車與新能源發(fā)電等趨勢，從2021年204億美元以復(fù)合年均成長率(CAGR) 6.9%的速度，功率半導(dǎo)體成長至2027年306億美元。其中，隨著工業(yè)自動化、不斷電系統(tǒng)、高壓直流電網(wǎng)及儲能系統(tǒng)等應(yīng)用蓬勃發(fā)展，促進功率半導(dǎo)體需求增長。

近年來，國家陸續(xù)出臺政策鼓勵碳化硅行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，疊加碳化硅襯底向大尺寸演進，有效提升材料使用率，以及晶棒、襯底良率持續(xù)提升，未來碳化硅器件的生產(chǎn)成本有望持續(xù)下降，預(yù)計在高電壓場景中將先具備替代優(yōu)勢。隨著國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品得到驗證進程加速，下游廠商認(rèn)可程度不斷提升，海外企業(yè)與國內(nèi)企業(yè)差距相對縮小，國產(chǎn)市場具備廣闊的市場空間。

2023年中國大陸地區(qū)IGBT市場規(guī)模預(yù)計達到290.8億元，同比增長11.6%。據(jù)中國半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告數(shù)據(jù)，2023年中國大陸地區(qū)MOSFET市場規(guī)模將達到396.2億元(56.6億美元，人民幣兌美元匯率按照7計算)，同比增長4.8%。

預(yù)計到2025年，GaN 功率半導(dǎo)體市場規(guī)?？蛇_到 13.2 億美元。此外集邦咨詢強調(diào)，第三代功率半導(dǎo)體基板相較于傳統(tǒng)硅基板的制造難度和成本也都更高。當(dāng)前，國家政策大力扶持為中國功率半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造良好的發(fā)展環(huán)境，同時下游市場景氣程度較高，為功率半導(dǎo)體功率的需求提供了有力支撐，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移及第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展帶來國產(chǎn)替代巨大機遇。

更多功率半導(dǎo)體行業(yè)的市場數(shù)據(jù)及未來行業(yè)投資前景，可以點擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)院研究出版的《2022-2027年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)供需預(yù)測及投資潛力研究報告》，

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