AI需求高漲 2024年Server DRAM單機(jī)平均搭載容量預(yù)估年增17.3% DRAM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析報(bào)告

• 李波 2024年2月5日 來(lái)源：中研普華集團(tuán)、央視財(cái)經(jīng)、中研網(wǎng) 584 33
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據(jù)研報(bào)，2024年市場(chǎng)持續(xù)聚焦AI(人工智能)議題，供應(yīng)商也陸續(xù)推出AI高端芯片，隨著運(yùn)算速度的提升，2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應(yīng)用，如智能手機(jī)、服務(wù)器、筆電的單機(jī)平均搭載容量均有成長(zhǎng)，又以服務(wù)器領(lǐng)域成長(zhǎng)幅度最高，Server DRAM單機(jī)平均容量預(yù)估年增17.

據(jù)研報(bào)，2024年市場(chǎng)持續(xù)聚焦AI(人工智能)議題，供應(yīng)商也陸續(xù)推出AI高端芯片，隨著運(yùn)算速度的提升，2024年DRAM及NAND Flash在各類AI延伸應(yīng)用，如智能手機(jī)、服務(wù)器、筆電的單機(jī)平均搭載容量均有成長(zhǎng)，又以服務(wù)器領(lǐng)域成長(zhǎng)幅度最高，Server DRAM單機(jī)平均容量預(yù)估年增17.3%，領(lǐng)先其他應(yīng)用;Enterprise SSD則預(yù)估年增13.2%。

隨著制程工藝的不斷升級(jí)，DRAM的存儲(chǔ)密度、訪問速度和功耗等方面也有較大的提升。這使得DRAM產(chǎn)品的性能得到了顯著提升，更好地滿足了用戶的需求。

近年來(lái)，由于智能手機(jī)、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)的快速發(fā)展，對(duì)DRAM的需求量持續(xù)增長(zhǎng)，而DRAM的產(chǎn)能增長(zhǎng)卻相對(duì)緩慢，導(dǎo)致市場(chǎng)供不應(yīng)求，價(jià)格居高不下。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。

因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。相對(duì)來(lái)說(shuō)，靜態(tài)存儲(chǔ)器只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。

DRAM的特點(diǎn)是速度快、集成度高、功耗低等。由于其快速的讀寫速度，DRAM被用作計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主內(nèi)存，用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)等。

隨著技術(shù)的發(fā)展，DRAM的容量和性能也在不斷提高，從早期的DRAM到現(xiàn)代的DDR4和GDDR5等類型，DRAM的應(yīng)用范圍也在不斷擴(kuò)展。

與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單——每一個(gè)比特的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處理，相比之下在SRAM上一個(gè)比特通常需要六個(gè)晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。

但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點(diǎn)。與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。

全球DRAM或Flash市場(chǎng)價(jià)格分為合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)，價(jià)格走勢(shì)是跟蹤景氣變化的關(guān)鍵指標(biāo)，合約價(jià)：ContractPrice，大客戶，價(jià)格按照協(xié)議合約走，定期議價(jià)，不受期間價(jià)格波動(dòng)影響，占比約90%。

DRAM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

DRAM通常以一個(gè)電容和一個(gè)晶體管為一個(gè)單元排成二維矩陣?；镜牟僮鳈C(jī)制分為讀和寫，讀的時(shí)候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后再把晶體管打開讓BL和電容產(chǎn)生電荷共享的現(xiàn)象，若內(nèi)部存儲(chǔ)的值為1，則BL的電壓會(huì)被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內(nèi)部存儲(chǔ)的值為0，則會(huì)把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經(jīng)過(guò)放大器來(lái)判別出內(nèi)部的值為0和1。

寫的時(shí)候會(huì)把晶體管打開，若要寫1時(shí)則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲(chǔ)著操作電壓，若要寫0時(shí)則把BL降低到0伏特使電容內(nèi)部沒有電荷。

就全球存儲(chǔ)芯片定位而言，2021年DRAM占比全球儲(chǔ)存市場(chǎng)61%的市場(chǎng)份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲(chǔ)器，多用與cpu緩存和圖像系統(tǒng)的幀緩存區(qū)，起到臨時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的功能，如遇斷電則數(shù)據(jù)則會(huì)丟失信息，更大的緩存空間代表同時(shí)可處理和儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)更多，屬與電子設(shè)備必須的組成部分。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示：

全球DRAM下游需求結(jié)構(gòu)而言，2021年第一大市場(chǎng)智能手機(jī)占比39%，具體而言，2021年全球智能手機(jī)出貨量達(dá)13.5億臺(tái)，同比2020年增長(zhǎng)5.7%;

第二大市場(chǎng)服務(wù)器占比34%，具體而言，出貨量和銷售額分別為1353.9萬(wàn)臺(tái)和992.2億美元，同比2020年增長(zhǎng)6.9%和6.4%;PC端整體出貨量同比2020年增長(zhǎng)14.8%，但受整體核心配件GPU價(jià)格高漲影響，DIY需求和辦公需求萎縮，整體市占率下降，僅占比13%。

受下游智能手機(jī)和服務(wù)器等消費(fèi)電子不斷擴(kuò)容、IoT為代表的消費(fèi)升級(jí)以及大數(shù)據(jù)云計(jì)算技術(shù)不斷突破的背景下，存儲(chǔ)器市場(chǎng)快速發(fā)展，同時(shí)因?yàn)楣鑳r(jià)原材料高漲帶動(dòng)價(jià)格上升，產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)為明顯的量?jī)r(jià)齊升趨勢(shì)，數(shù)據(jù)顯示，2021年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)949億美元，同比2020年增長(zhǎng)41.6%。

數(shù)據(jù)顯示，截止2021年年底，全球DRAM產(chǎn)能約為150萬(wàn)片/月，其中國(guó)產(chǎn)企業(yè)合肥長(zhǎng)鑫已達(dá)到6萬(wàn)片/月8 GB DDR4(19nm)，占比全球主要DRAM產(chǎn)能的4%，整體國(guó)產(chǎn)化水平將進(jìn)一步推進(jìn)。從全球DRAM芯片市場(chǎng)區(qū)域格局來(lái)看，美國(guó)和中國(guó)是DRAM芯片的主要消費(fèi)市場(chǎng)，市場(chǎng)份額合計(jì)超七成，其中美國(guó)略高于中國(guó)，數(shù)據(jù)顯示，2019年中國(guó)DRAM消費(fèi)份額占比全球34%，僅次于美國(guó)的39%。

除了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)外，DRAM還廣泛應(yīng)用于其他數(shù)字設(shè)備中，如服務(wù)器、路由器、交換機(jī)、圖形卡等。隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等技術(shù)的發(fā)展，對(duì)高容量、高速率的DRAM需求也在不斷增加。總的來(lái)說(shuō)，DRAM是計(jì)算機(jī)和數(shù)字設(shè)備中不可或缺的存儲(chǔ)器之一，其技術(shù)發(fā)展不斷推動(dòng)著計(jì)算機(jī)和數(shù)字設(shè)備的性能提升。

中國(guó)政府一直在推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的本土化，包括DRAM。這導(dǎo)致了對(duì)國(guó)內(nèi)DRAM廠商的需求增加，以減少對(duì)進(jìn)口DRAM的依賴。國(guó)內(nèi)需求的增長(zhǎng)激勵(lì)了本土DRAM制造商提高產(chǎn)能和技術(shù)水平。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2022年中國(guó)dram存儲(chǔ)器行業(yè)需求量約為738.3億GB，主要集中在中南地區(qū)，占比為41%。

DRAM行業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)

除了傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)內(nèi)存、服務(wù)器和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域，DRAM正在不斷延伸到物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、自動(dòng)駕駛等新興應(yīng)用領(lǐng)域。這些領(lǐng)域?qū)τ诟咚佟⒏呙芏?、低功耗的存?chǔ)器需求巨大，給DRAM行業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。

總的來(lái)說(shuō)，DRAM行業(yè)現(xiàn)狀呈現(xiàn)出技術(shù)不斷進(jìn)步、應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展、市場(chǎng)供不應(yīng)求、競(jìng)爭(zhēng)格局變化和行業(yè)整合加速等特點(diǎn)。未來(lái)，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)的變化，DRAM行業(yè)將繼續(xù)發(fā)展壯大。

未來(lái)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)的變化，DRAM行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局也將發(fā)生變化。一些老牌廠商可能面臨技術(shù)落后和市場(chǎng)占有率下降的困境，而一些新興廠商則可能通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)拓展快速崛起。這將影響DRAM的市場(chǎng)格局和競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。DRAM的未來(lái)發(fā)展前景是充滿機(jī)遇和挑戰(zhàn)的。

中研普華通過(guò)對(duì)市場(chǎng)海量的數(shù)據(jù)進(jìn)行采集、整理、加工、分析、傳遞，為客戶提供一攬子信息解決方案和咨詢服務(wù)，最大限度地幫助客戶降低投資風(fēng)險(xiǎn)與經(jīng)營(yíng)成本，把握投資機(jī)遇，提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

想要了解更多最新的專業(yè)分析請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2022-2027年中國(guó)DRAM行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及投資策略預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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