全球半導(dǎo)體儲存器產(chǎn)業(yè)市場格局 中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展前景

• 2021年11月9日 HuangJiang來源：新浪 655 38
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據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)TrendForce預(yù)測，全球DRAM(半導(dǎo)體存儲器的一種)價格將結(jié)束今年年初以來一直上漲的趨勢，第四季度將環(huán)比下降3%～8%，特別是明年將進一步下跌，預(yù)計將比今年下降15%～20%。受行業(yè)負面預(yù)測影響，在全球DRAM市場占據(jù)第一和第二位的三星電子和SK海力士近

半導(dǎo)體存儲器是半導(dǎo)體集成電路工藝制成的存儲數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。它由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。

RAM包括DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，當關(guān)機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分)，SRAM主要用于高速緩存存儲器。

半導(dǎo)體儲存器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2021年Q3，包括DRAM和NAND閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(Mos Memory)的出貨額并未超過2018年Q3的峰值(441億美元)。但從2020年Q4到2021年Q2出貨量的急劇上漲，不免令人心生恐懼，因為這個斜率與2016-2018年Q3的內(nèi)存泡沫相當。

據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)TrendForce預(yù)測，全球DRAM(半導(dǎo)體存儲器的一種)價格將結(jié)束今年年初以來一直上漲的趨勢，第四季度將環(huán)比下降3%～8%，特別是明年將進一步下跌，預(yù)計將比今年下降15%～20%。但也有人預(yù)測稱，即使半導(dǎo)體存儲器價格有所調(diào)整，也不會出現(xiàn)價格暴跌或行業(yè)蕭條的局面，明年第二季度將再次反彈。

受行業(yè)負面預(yù)測影響，在全球DRAM市場占據(jù)第一和第二位的三星電子和SK海力士近期股價走弱。據(jù)悉，DRAM銷售在三星電子半導(dǎo)體部門和SK海力士存儲器部門所占比重分別為90%和50%。韓業(yè)界人士表示，韓國半導(dǎo)體行業(yè)不應(yīng)被DRAM價格下跌論所束縛，而應(yīng)提高新一代DRAM和半導(dǎo)體代工的競爭力。

根據(jù)中研普華出版的《2021-2026年半導(dǎo)體儲存器行業(yè)深度分析及投資價值研究咨詢報告》顯示：

據(jù)統(tǒng)計，存儲器在整個半導(dǎo)體市場規(guī)模中的占比超過三分之一，智能手機等消費級產(chǎn)品的存儲容量配置持續(xù)提升，數(shù)據(jù)中心對存儲耗用量也在持續(xù)提升，整體存儲位元的需求持續(xù)增長。

全球半導(dǎo)體儲存器產(chǎn)業(yè)市場格局

存儲產(chǎn)業(yè)市場格局高度集中，主流存儲器DRAM、NAND市場額均高度集中于三星、海力士、美光、鎧俠等海外廠商，而國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)尚處于起步階段。

三星是半導(dǎo)體存儲器的巨頭企業(yè)。近日，三星第四次參加第四屆北京進博會。隨著全球數(shù)據(jù)量以指數(shù)級增長、數(shù)據(jù)類型逐漸多元，數(shù)據(jù)處理需要更加安全、高效的存儲和讀取技術(shù)。本屆進博會上，三星展示了多款面向大數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的存儲產(chǎn)品。

DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲速度快、存儲容量大，在計算機中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，容量可達512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達7200MHz，能滿足超級計算機、機器學(xué)習(xí)、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業(yè)對綠色發(fā)展的要求。

NAND閃存方面，三星展出了新一代企業(yè)級SSD硬盤PM9A3系列，使用三星第六代V-NAND閃存技術(shù)，容量最高達7.68TB，速度可達6500MB/s，存儲一部5GB的高清電影僅需約0.7秒，對需要高速處理大容量數(shù)據(jù)存儲的用戶及企業(yè)來說，可大幅提升工作效率。

面向AI時代對超高速處理速度的需求，三星展示了針對AI效率提升的存儲產(chǎn)品。代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，容量是上一代8GB“Aquabolt”HBM2的兩倍，速度提高1.5倍，AI訓(xùn)練效率提高6倍，同時可顯著提高帶寬及電源效率，這將極大提升下一代計算機系統(tǒng)的性能。

中國半導(dǎo)體儲存器行業(yè)發(fā)展前景

根據(jù)資料，2017年，中國科學(xué)院微電子研究所與北京航空航天大學(xué)聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件，對我國存儲器行業(yè)的技術(shù)突破形成了具有實際意義的推動作用...

之后，國內(nèi)開始布局存儲產(chǎn)業(yè)規(guī)?；?，中國大陸的存儲器公司陸續(xù)成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進展。在半導(dǎo)體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)存儲器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機遇。

近年來，中國陸續(xù)攻克了3D NAND Flash和DRAM技術(shù)。DRAM現(xiàn)在的發(fā)展按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型(Legacy/SDR)DRAM。NAND Flash的主流應(yīng)用為SSD等大容量存儲領(lǐng)域，使用MLC、TLC 2D NAND或3D NAND等。

目前市場上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm。另外，NAND Flash的發(fā)展方向是3D堆疊，國外先進企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NAND Flash。

想知道更多半導(dǎo)體儲存器行業(yè)具體分析，可點擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院出版的《2021-2026年半導(dǎo)體儲存器行業(yè)深度分析及投資價值研究咨詢報告》

• 相關(guān)深度報告REPORTS

  

  2021-2026年半導(dǎo)體儲存器行業(yè)深度分析及投資價值研究咨詢報告

  半導(dǎo)體儲存器行業(yè)研究報告旨在從國家經(jīng)濟和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析半導(dǎo)體儲存器未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢，挖掘半導(dǎo)體儲存器行業(yè)的市場潛力，基于重點細分市場領(lǐng)域的深度研究，提供...

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