存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)最新進(jìn)展分析：DNA數(shù)字存儲(chǔ)糾錯(cuò)新算法、二維高性能浮柵晶體管存儲(chǔ)器

• 劉明月 2023年9月20日 來(lái)源：新華社 1382 91
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在國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)廠商存儲(chǔ)器技術(shù)的逐漸成熟，國(guó)產(chǎn)品牌開(kāi)始迅速壯大。目前我國(guó)外部存儲(chǔ)器市場(chǎng)上國(guó)產(chǎn)品牌已經(jīng)占據(jù)約 60%的市場(chǎng)份額。

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)最新進(jìn)展分析：DNA數(shù)字存儲(chǔ)糾錯(cuò)新算法、二維高性能浮柵晶體管存儲(chǔ)器

我國(guó)科學(xué)家提出DNA數(shù)字存儲(chǔ)糾錯(cuò)新算法

從中國(guó)農(nóng)業(yè)科學(xué)院獲悉，該院深圳農(nóng)業(yè)基因組研究所農(nóng)業(yè)基因組學(xué)技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)提出DNA數(shù)字存儲(chǔ)糾錯(cuò)新算法，成功突破了冗余對(duì)糾錯(cuò)能力的限制，將大幅提升DNA存儲(chǔ)糾錯(cuò)能力。相關(guān)研究成果日前發(fā)表在我國(guó)學(xué)術(shù)期刊《國(guó)家科學(xué)評(píng)論》上。

我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)在二維高性能浮柵晶體管存儲(chǔ)器方面取得重要進(jìn)展

從華中科技大學(xué)了解到，該校材料成形與模具技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授翟天佑團(tuán)隊(duì)在二維高性能浮柵晶體管存儲(chǔ)器方面取得重要進(jìn)展，研制了一種具有邊緣接觸特征的新型二維浮柵晶體管器件，與現(xiàn)有商業(yè)閃存器件性能對(duì)比，其擦寫(xiě)速度、循環(huán)壽命等關(guān)鍵性能均有提升，為發(fā)展高性能、高密度大容量存儲(chǔ)器件提供了新的思路。

中研研究院出版的《2023-2028年中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展分析與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示

存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展分析

在國(guó)產(chǎn)替代的趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)廠商存儲(chǔ)器技術(shù)的逐漸成熟，國(guó)產(chǎn)品牌開(kāi)始迅速壯大。目前我國(guó)外部存儲(chǔ)器市場(chǎng)上國(guó)產(chǎn)品牌已經(jīng)占據(jù)約 60%的市場(chǎng)份額。其中，華為目前排名第一，市場(chǎng)占有率約為20%，Dell EMC 排名第二，市占率 14%，第三到六名分別是海康威視、IBM、曙光和浪潮。除此之外，主要的國(guó)內(nèi)廠商還包括：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新、東芯半導(dǎo)體、江波龍等。

存儲(chǔ)設(shè)備作為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，存儲(chǔ)設(shè)備勢(shì)必會(huì)在我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲(chǔ)設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了存儲(chǔ)設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)、政策等基礎(chǔ)。

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)環(huán)境方面，目前閃存(NAND Flash)和內(nèi)存(DRAM)市場(chǎng)主要被美韓日等國(guó)外幾家企業(yè)所壟斷，如韓國(guó)三星、海力士、美國(guó)鎂光、日本東芝等，其中國(guó)際DRAM市場(chǎng)中，三星連續(xù)10多年蟬聯(lián)世界第一，市占率維持在60%。從全球DRAM芯片市場(chǎng)銷(xiāo)售區(qū)域來(lái)看，中國(guó)是全球第二大DRAM消費(fèi)市場(chǎng)，僅次于美國(guó)，市場(chǎng)前景較好。

DRAM是最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲(chǔ)速度快、存儲(chǔ)容量大，在計(jì)算機(jī)中常作為主存儲(chǔ)器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，容量可達(dá)512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達(dá)7200MHz，能滿足超級(jí)計(jì)算機(jī)、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等方面的需求，并通過(guò)提高性能和降低功耗，滿足IT行業(yè)對(duì)綠色發(fā)展的要求。

2022年3月開(kāi)始的相對(duì)高點(diǎn)之后，目前也處于下跌周期，周期長(zhǎng)度與DRAM基本重合。代表性顆粒128\256\512GbTLCwafer價(jià)格均處于近兩年低谷，如512GbTLCWafer現(xiàn)貨目前平均價(jià)僅為1.40美金。我們預(yù)計(jì)，相比DRAM，NAND有望先迎來(lái)價(jià)格上行。

23Q3DRAM、NAND產(chǎn)品均價(jià)繼續(xù)下跌但跌幅預(yù)計(jì)減少，NANDFlashWafer產(chǎn)品均價(jià)有望上漲。對(duì)于短期內(nèi)DRAM和NAND芯片的價(jià)格變動(dòng)，參考TrendForce對(duì)3Q23產(chǎn)品價(jià)格的預(yù)估：

①DRAM方面，受益于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)，以及季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫(kù)存壓力，預(yù)期23Q3DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%，其中PCDRAM、ServerDRAM、MoblieDRAM、GraphicsDRAM、ConsumerDRAM的23Q3均價(jià)均預(yù)計(jì)環(huán)比下跌0~5%;

②NANDFlash方面，同樣受惠于原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴(kuò)大，與季節(jié)性旺季需求支撐，預(yù)估23Q3整體NANDFlash均價(jià)下跌收斂至3~8%，其中NANDFlashWafer均價(jià)預(yù)估將率先上漲，環(huán)比增長(zhǎng)0~5%;

eMMC、UFS，其合約均價(jià)預(yù)計(jì)跌幅仍有約8~13%;EnterpriseSSD均價(jià)跌幅將收斂至5~10%;ClientSSD均價(jià)將環(huán)比下跌8~13%。

存儲(chǔ)器行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，預(yù)測(cè)未來(lái)業(yè)務(wù)的市場(chǎng)前景，以幫助客戶撥開(kāi)政策迷霧，尋找行業(yè)的投資商機(jī)。存儲(chǔ)器報(bào)告在大量的分析、預(yù)測(cè)的基礎(chǔ)上，研究了行業(yè)今后的發(fā)展與投資策略，為企業(yè)在激烈的存儲(chǔ)器市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中洞察先機(jī)，根據(jù)市場(chǎng)需求及時(shí)調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供了準(zhǔn)確的市場(chǎng)情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù)。

更多存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測(cè)，請(qǐng)關(guān)注中研研究院出版的《2023-2028年中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展分析與投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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  在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈、新產(chǎn)品層出不窮的今天，要開(kāi)發(fā)一個(gè)新品并能迅速在市場(chǎng)上推廣其難度是可想而知的。只有經(jīng)過(guò)科學(xué)的市場(chǎng)分析、消費(fèi)者分析、競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的分析，做到有的放矢，才能使企業(yè)開(kāi)發(fā)的新...

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