NAND行業(yè)進入門檻高，存在技術(shù)、產(chǎn)業(yè)整合、客戶認可、資金和規(guī)模、人才五大壁壘。NANDFlash生產(chǎn)對性能和產(chǎn)品指標要求高，且需要與先進封裝技術(shù)和工藝制程相互協(xié)同，具有一定的技術(shù)壁壘和產(chǎn)品整合。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
NAND行業(yè)進入門檻高，存在技術(shù)、產(chǎn)業(yè)整合、客戶認可、資金和規(guī)模、人才五大壁壘。NANDFlash生產(chǎn)對性能和產(chǎn)品指標要求高，且需要與先進封裝技術(shù)和工藝制程相互協(xié)同，具有一定的技術(shù)壁壘和產(chǎn)品整合。行業(yè)前期投入研發(fā)費用高昂，對投入資金、高端人才和企業(yè)規(guī)模均提出了更高要求。由于產(chǎn)品驗證周期長，各廠之間的合作關(guān)系穩(wěn)定，新廠商進入難度大。
NAND閃存是存儲器市場的第二大細分市場，占存儲器市場規(guī)模的比例高達42%。2020年，全球半導體市場規(guī)模4402億美元，存儲器市場規(guī)模為1172億美元，NAND閃存市場規(guī)模為494億美元。
之前，NAND閃存一直基于二維平面的NAND技術(shù)，也就是我們說的2DNAND閃存。2D在平面上對晶體管尺寸進行微縮，從而獲得更高的存儲密度，但晶體管尺寸微縮遇到物理極限，現(xiàn)已面臨瓶頸，達到發(fā)展極限。為了在維持性能的情況下實現(xiàn)容量提升，3DNAND成為發(fā)展主流。3DNAND把解決思路從單純提高制程工藝轉(zhuǎn)變?yōu)槎询B多層，成功解決了平面NAND在增加容量的同時性能降低的問題，實現(xiàn)容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。2019年，3DNAND的滲透率為72.6%，已遠超2DNAND，且未來仍將持續(xù)提高，預計2025年3DNAND將占閃存總市場的97.5%。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報告《2020-2025年中國NAND閃存行業(yè)市場調(diào)研分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報告》分析
國內(nèi)NAND市場需求巨大，中國作為全球最大的電子產(chǎn)品制造中心，擁有全球最大的NAND芯片消費市場，2020年我國NAND閃存市場銷售規(guī)模占全球比重的37%，銷售占比全球排名第一;美國市場緊隨其后，銷售占比達31%;此外，日本及歐洲的市場占比較低，均為4%。
NAND芯片市場呈現(xiàn)出寡頭壟斷的供給格局，2021年一季度，三星排名第一，市場份額為33.5%;出身東芝半導體的鎧俠占據(jù)18.7%的市場;西部數(shù)據(jù)市場占有率為14.7%，排名第三。行業(yè)第四名的SK海力士于2020年10月宣布將支付90億美元收購行業(yè)第六英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務，如收購順利完成，SK海力士的規(guī)模將與鎧俠相當，NAND芯片市場集中度再度提升。
閃存已經(jīng)成為智能手機的一個重要組成部分。NAND閃存的需求呈指數(shù)級增長，主要受智能手機平均容量增長的推動。智能手機的NAND閃存可以顯著提高瀏覽網(wǎng)頁、郵件加載、游戲甚至Facebook等社交網(wǎng)站的性能。隨著智能手機的普及，各家公司都在添加額外的功能和應用程序，以將自己的產(chǎn)品與其他制造商區(qū)分開來。例如，制造商正在將手勢控制、指紋掃描儀和GPS等功能集成到設備中。這提振了對NAND閃存的需求。NAND閃存被用作智能手機的代碼存儲媒體。初步預計未來全球NAND閃存顆粒將保持10%以上的年均復合增速，到2026年市場規(guī)模超過1000億美元。
想要了解更多NAND閃存行業(yè)的發(fā)展前景，請查閱《2020-2025年中國NAND閃存行業(yè)市場調(diào)研分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報告》。
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