NAND閃存行業(yè)前景分析 NAND閃存的需求受智能手機(jī)平均容量增長(zhǎng)推動(dòng)

• 2022年1月6日 ZhouJiaLiang來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 1081 69
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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。

全球NAND閃存市場(chǎng)Q3的排名發(fā)布

近日市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia發(fā)布了全球NAND閃存市場(chǎng)Q3的排名，三星電子在全球NAND閃存市場(chǎng)的占有率達(dá)到34.5%，連續(xù)多年保持第一名。緊隨其后的是日本鎧俠(19.5%)、SK海力士(13.6%)、美國(guó)西部數(shù)據(jù)(13.0%)、美光(9.9%)和英特爾(5.9%)等，已形成多家企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局。

NAND閃存市場(chǎng)方面，三星電子連續(xù)20年穩(wěn)居第一，SK海力士也提高了占有率，緊隨其后。曾經(jīng)號(hào)令全球SSD(Solid-StateDrive)市場(chǎng)的美國(guó)最大半導(dǎo)體企業(yè)英特爾為了專注于主力業(yè)務(wù)，將NAND事業(yè)部出售給了SK海力士，而中國(guó)大陸最大的存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)也正在擴(kuò)大產(chǎn)能以提高市場(chǎng)占有率。

有業(yè)內(nèi)人士表示，全球NAND閃存市場(chǎng)中，短期內(nèi)三星電子的頭部地位很難動(dòng)搖。值得注意的是被稱為“中國(guó)半導(dǎo)體航母”的清華紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)表現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)，其今年第三季度NAND閃存業(yè)務(wù)銷售額達(dá)4.65億美元，市占率為2.5%，一年內(nèi)增長(zhǎng)三倍以上。目前中國(guó)約占全球NAND閃存市場(chǎng)總份額的37%，已經(jīng)超過(guò)美國(guó)(31%)位居全球第一。但中國(guó)在該領(lǐng)域供給產(chǎn)能不足，僅占全球4%。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2020-2025年中國(guó)NAND閃存行業(yè)市場(chǎng)調(diào)研分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報(bào)告》分析

NAND行業(yè)進(jìn)入門檻高，存在技術(shù)、產(chǎn)業(yè)整合、客戶認(rèn)可、資金和規(guī)模、人才五大壁壘。NAND Flash生產(chǎn)對(duì)性能和產(chǎn)品指標(biāo)要求高，且需要與先進(jìn)封裝技術(shù)和工藝制程相互協(xié)同，具有一定的技術(shù)壁壘和產(chǎn)品整合。行業(yè)前期投入研發(fā)費(fèi)用高昂，對(duì)投入資金、高端人才和企業(yè)規(guī)模均提出了更高要求。由于產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)，各廠之間的合作關(guān)系穩(wěn)定，新廠商進(jìn)入難度大。

NAND閃存市場(chǎng)規(guī)模

NAND閃存是存儲(chǔ)器市場(chǎng)的第二大細(xì)分市場(chǎng)，占存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模的比例高達(dá)42%。2020年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模4402億美元，存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模為1172億美元，NAND閃存市場(chǎng)規(guī)模為494億美元。

之前，NAND閃存一直基于二維平面的NAND技術(shù)，也就是我們說(shuō)的2D NAND閃存。2D在平面上對(duì)晶體管尺寸進(jìn)行微縮，從而獲得更高的存儲(chǔ)密度，但晶體管尺寸微縮遇到物理極限，現(xiàn)已面臨瓶頸，達(dá)到發(fā)展極限。為了在維持性能的情況下實(shí)現(xiàn)容量提升，3D NAND成為發(fā)展主流。3D NAND把解決思路從單純提高制程工藝轉(zhuǎn)變?yōu)槎询B多層，成功解決了平面NAND在增加容量的同時(shí)性能降低的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠(yuǎn)超2D NAND，且未來(lái)仍將持續(xù)提高，預(yù)計(jì)2025年3D NAND將占閃存總市場(chǎng)的97.5%。

NAND閃存行業(yè)前景分析

閃存已經(jīng)成為智能手機(jī)的一個(gè)重要組成部分。NAND閃存的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，主要受智能手機(jī)平均容量增長(zhǎng)的推動(dòng)。智能手機(jī)的NAND閃存可以顯著提高瀏覽網(wǎng)頁(yè)、郵件加載、游戲甚至Facebook等社交網(wǎng)站的性能。隨著智能手機(jī)的普及，各家公司都在添加額外的功能和應(yīng)用程序，以將自己的產(chǎn)品與其他制造商區(qū)分開來(lái)。例如，制造商正在將手勢(shì)控制、指紋掃描儀和GPS等功能集成到設(shè)備中。這提振了對(duì)NAND閃存的需求。NAND閃存被用作智能手機(jī)的代碼存儲(chǔ)媒體。初步預(yù)計(jì)未來(lái)全球NAND閃存顆粒將保持10%以上的年均復(fù)合增速，到2026年市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)1000億美元。

想要了解更多NAND閃存行業(yè)的發(fā)展前景，請(qǐng)查閱《2020-2025年中國(guó)NAND閃存行業(yè)市場(chǎng)調(diào)研分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報(bào)告》。

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