電子束曝光系統(tǒng)(EBL)行業(yè)深度調(diào)研分析

• 2022年4月6日 WuYaNan來源：互聯(lián)網(wǎng) 1089 69
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電子束曝光是由高能量電子束和光刻膠相互作用，使膠由長(短)鏈變成斷(長)鏈，實現(xiàn)曝光，相比于光刻機具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直寫和納米科學(xué)技術(shù)研究。 電子束曝光主要有可變矩形電子束曝光系統(tǒng)、電子束投影光刻技術(shù)、大規(guī)模平行電子束成像

電子束曝光系統(tǒng)(EBL)行業(yè)深度調(diào)研分析

光刻技術(shù)是指在硅晶圓上印刷電路元件以生產(chǎn)電子芯片的主要技術(shù)。其中一項挑戰(zhàn)就是開發(fā)耐用的“光刻膠”，或者說是用作模板的材料，將電路圖案轉(zhuǎn)移到對器件有用的襯底(例如硅)中。電子束曝光是電子光學(xué)、機械、電子技術(shù)、計算機及半導(dǎo)體工藝集成，包含了檢測與定位、環(huán)境控制、超高真空、計算機控制、系統(tǒng)控制軟件、多功能圖形發(fā)生器、激光定位工件臺和電子光學(xué)柱8個子系統(tǒng)，其中電子光柱體、圖形發(fā)生器和激光工件臺是關(guān)鍵部件。

根據(jù)中研普華研究院《2022年全球與中國電子束曝光系統(tǒng)(EBL)市場深度研究報告》顯示：

電子束曝光(EBL)始于上世紀60年代，是在電子顯微鏡的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的用于微電路研究和制造的曝光技術(shù)，是半導(dǎo)體微電子制造及納米科技的關(guān)鍵設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)備。電子束曝光是由高能量電子束和光刻膠相互作用，使膠由長(短)鏈變成斷(長)鏈，實現(xiàn)曝光，相比于光刻機具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直寫和納米科學(xué)技術(shù)研究。 電子束曝光主要有可變矩形電子束曝光系統(tǒng)、電子束投影光刻技術(shù)、大規(guī)模平行電子束成像三種技術(shù)。

電子束曝光是用低功率密度的電子束照射電致抗蝕劑，經(jīng)顯影后在抗蝕劑中產(chǎn)生圖形的一種微細加工技術(shù)。這種曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工藝容限大，而且生產(chǎn)效率高，但由于電子束在光刻膠膜內(nèi)的散射，使得圖案的曝光劑量會受到臨近圖案曝光劑量的影響(即臨近效應(yīng))，造成的結(jié)果是，顯影后，線寬有所變化或圖形畸變。

微電子工業(yè)依賴于光學(xué)光刻技術(shù)，但是它的分辨率受到照射光刻膠的光線波長的限制。然而，電子束光刻技術(shù)及其他納米光刻技術(shù)，例如極紫外光刻技術(shù)(EUVL)，可以突破這一限制，因為電子和高能紫外光的波長非常短。兩項技術(shù)之間的主要差別就是曝光過程。

離子束投影曝光系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和工作原理與光學(xué)投影曝光的結(jié)構(gòu)與原理類似，所不同的是曝光粒子是離子、光學(xué)系統(tǒng)采用離子光學(xué)系統(tǒng)，而掩模版則由可通過和吸收離子的材料制備。離子束曝光掩模版通常采用Si材料制成投射/散射式的二相掩模版技術(shù)。

電子束曝光系統(tǒng)產(chǎn)量及產(chǎn)值分析

近年來，中國電子束曝光系統(tǒng)的產(chǎn)量和產(chǎn)值都呈現(xiàn)出較快的增長態(tài)勢。中國電子束曝光系統(tǒng)的產(chǎn)量約為864臺，電子束曝光系統(tǒng)行業(yè)同比增長12.06%;產(chǎn)值約為6.82億美元，同比增長18.40%。

圖表：中國電子束曝光系統(tǒng)產(chǎn)量及產(chǎn)值情況

數(shù)據(jù)來源：中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

據(jù)不完全統(tǒng)計，全球電子束曝光系統(tǒng)產(chǎn)能約為3564臺，產(chǎn)量約為3411臺，產(chǎn)能利用率約為95.71%。

為了提高電子器件的處理速度并降低其功耗，微電子工業(yè)持續(xù)不懈地努力爭取讓特征尺寸越變越小。在現(xiàn)今的手機中，晶體管通常是10納米(nm)的寬度，相當于50個硅原子的寬度，甚至更小。

想了解更多關(guān)于電子束曝光系統(tǒng)(EBL)行業(yè)專業(yè)數(shù)據(jù)分析，請點擊查看中研普華研究院出版的報告《2022年全球與中國電子束曝光系統(tǒng)(EBL)市場深度研究報告》。

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