2023年半導體行業(yè)市場發(fā)展現(xiàn)狀 半導體行業(yè)風險投資態(tài)勢指引

• 周迅 2023年6月29日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 777 47
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我國發(fā)展第三代半導體也被寫入 " 十四五 " 規(guī)劃。規(guī)劃要求，要加強原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)。其中，在集成電路層面，包括集成電路設(shè)計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管 ( IGBT ) 、微機電系統(tǒng) (

半導體是資金密集型的行業(yè)，企業(yè)的發(fā)展需要不斷投入資金研發(fā)。但半導體項目投資的周期較長，半導體企業(yè)融資困難，難以募集到必要的資金。

2023年半導體行業(yè)市場發(fā)展現(xiàn)狀 半導體行業(yè)風險投資態(tài)勢指引

半導體產(chǎn)業(yè)作為國民經(jīng)濟的基礎(chǔ)性支撐產(chǎn)業(yè)備受重視。近幾年，歐盟、美、日、韓等主要國家和地區(qū)相繼提出振興本土半導體業(yè)法案，試圖取得市場和技術(shù)的話語權(quán)。中國也積極出臺各項措施，對產(chǎn)業(yè)的扶持態(tài)度十分堅定，半導體產(chǎn)業(yè)的景氣度持續(xù)走高。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年半導體行業(yè)風險投資態(tài)勢及投融資策略指引報告》顯示：

近年來，半導體設(shè)備廠商緊抓行業(yè)高速發(fā)展機遇，持續(xù)在新產(chǎn)品、新技術(shù)上加大研發(fā)投入，著力提升核心能力。比如，年報顯示，芯源微去年研發(fā)支出1.52億元，同比增長64.47%。拓荊科技去年研發(fā)投入3.79億元，同比增加31.37%。

高強度的研發(fā)投入，不僅使半導體設(shè)備廠商得以在細分領(lǐng)域保持領(lǐng)先，也促進了新產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)、突破。

從各家2022年訂單情況來看，多家設(shè)備企業(yè)表示，在手訂單飽滿，增長超預(yù)期。其中，拓荊科技在手訂單46.02億元(不含DEMO機臺)，2022年新簽訂單43.62億元(不含DEMO機臺)，同比增長95.36%，大超市場預(yù)期。

4月18日，半導體設(shè)備公司芯源微和拓荊科技分別披露2022年年報。其中，芯源微去年實現(xiàn)營業(yè)收入13.85億元，同比增長67.12%;實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤2億元，同比增長158.77%。拓荊科技去年實現(xiàn)營業(yè)收入17.06億元，同比增長125.02%;實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤3.69億元，同比大增438.09%。

數(shù)據(jù)顯示，截至4月18日午間，A股15家半導體設(shè)備公司中，已有12家披露了去年年報或業(yè)績快報、業(yè)績預(yù)告，12家公司去年全部實現(xiàn)盈利或預(yù)計實現(xiàn)盈利，其中有11家公司凈利潤同比增長，5家公司凈利潤同比增長超過了100%。

我國發(fā)展第三代半導體也被寫入 " 十四五 " 規(guī)劃。規(guī)劃要求，要加強原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)。其中，在集成電路層面，包括集成電路設(shè)計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管 ( IGBT ) 、微機電系統(tǒng) ( MEMS ) 等特色工藝突破，先進存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展。

目前，我國功率半導體產(chǎn)業(yè)仍處于起步階段，總體呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家多、發(fā)展迅速等特點。截止2022年4月，中國功率半導體相關(guān)企業(yè)已超320家。主要分布在廣東(130家)和江蘇(56家)等東南沿海地區(qū)。

國產(chǎn)功率半導體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘管、低壓MOSFET(非車規(guī))等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國產(chǎn)化率相對較高”等特點。在中高端領(lǐng)域，如SJMOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車規(guī)產(chǎn)品，由于起步晚、工藝相對復雜以及缺乏車規(guī)驗證機會等問題，國內(nèi)廠家依然在追隨海外廠家技術(shù)發(fā)展路線。但近年來，市場逐漸從依賴進口向國內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變，國產(chǎn)替代潛力大。

國家和地方政策支持，加速國產(chǎn)替代進程。受益于國家和地方政府的鼓勵政策，國內(nèi)電動汽車與充電樁、光伏與儲能等領(lǐng)域需求增長，功率半導體競爭格局有望被重塑——國內(nèi)功率半導體的國產(chǎn)化進程有望加速。

功率半導體應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風力發(fā)電、消費電子、軌道交通、工業(yè)電機、儲能、航空航天和軍工等眾多領(lǐng)域。

據(jù)預(yù)測，至2025年，全球功率半導體分立器件和模塊的市場規(guī)模將分別達到76億美元和113億美元。據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，2023年中國大陸地區(qū)IGBT市場規(guī)模預(yù)計達到290.8億元，同比增長11.6%。據(jù)中國半導體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來投資預(yù)測報告數(shù)據(jù)，2023年中國大陸地區(qū)MOSFET市場規(guī)模將達到396.2億元(56.6億美元，人民幣兌美元匯率按照7計算)，同比增長4.8%。

以MOSFET為例，據(jù)Yole預(yù)測，到2026年，全球MOSFET(包括分立器件和模塊)市場總規(guī)模預(yù)計將達到94.8億美元，復合增長率達3.8%(2020年至2026年)。

MOSFET汽車應(yīng)用(電動汽車和汽車充電樁)占比居首位，高達33%，其中電動汽車和充電樁分別占比25%和8%。從耐壓范圍看，到2026年，低壓MOSFET(0-40V)占總需求的39%，中壓(41V-400V)占26%，高壓(大于等于600V)廣泛應(yīng)用在220V系統(tǒng)中，占總需求的35%。同時，SiCMOSFET和GaNMOSFET市場滲透率在逐步提高。

本報告對半導體行業(yè)風險投資現(xiàn)狀、國際化進程與外資進入、融資渠道、如何運作風險投資、退出機制及發(fā)展趨勢等進行了系統(tǒng)的分析，并重點分析了半導體行業(yè)風險投資的主要現(xiàn)存問題、相應(yīng)對策以及新形勢下面臨的機遇與挑戰(zhàn)和企業(yè)的應(yīng)對策略等。是風險投資公司、研究機構(gòu)及半導體行業(yè)相關(guān)企業(yè)準確了解目前半導體行業(yè)風險投資業(yè)發(fā)展動態(tài)，把握企業(yè)定位和發(fā)展方向不可多得的精品。

了解更多行業(yè)數(shù)據(jù)詳情，可以點擊查閱中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2023-2028年半導體行業(yè)風險投資態(tài)勢及投融資策略指引報告》。

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  2023-2028年半導體行業(yè)風險投資態(tài)勢及投融資策略指引報告

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