14/16nmFinFET工藝之爭以三星領(lǐng)先結(jié)束，10nm工藝臺積電與三星相爭如今看來還是三星領(lǐng)先，筆者預(yù)計在7nm工藝上三星也可能再次領(lǐng)先!

　　在半導(dǎo)體代工市場上，臺積電一直都以領(lǐng)先的工藝著稱，三星為了趕超臺積電選擇直接跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET工藝，臺積電雖然首先開發(fā)出16nm工藝不過由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進行改進引入FinFET工藝，就此三星成功實現(xiàn)了領(lǐng)先。

　　2015年三星成功在年初量產(chǎn)14nmFinFET工藝，而臺積電的16nmFinFET工藝則延遲到同年三季度量產(chǎn)。在臺積電成功量產(chǎn)16nmFinFET工藝后卻優(yōu)先照顧蘋果用于生產(chǎn)A9處理器，而幫助它研發(fā)16nmFinFET工藝的華為海思則沒獲得禮遇導(dǎo)致采用該工藝的麒麟950芯片延遲到11月初發(fā)布。

　　于是雙方將目光聚焦于10nm和7nm工藝上，希望爭取先量產(chǎn)。在過去一年時間，臺媒屢屢發(fā)布消息指臺積電的10nm工藝進展快速，不過最終在去年10月份三星宣布自家的10nm工藝正式量產(chǎn)并采用該工藝生產(chǎn)出高通的驍龍835芯片，再次領(lǐng)先于臺積電。

　　在MWC2017上聯(lián)發(fā)科大事宣傳其采用臺積電的10nm工藝生產(chǎn)的helio X30芯片，不過暫未知哪個手機企業(yè)會采用該款芯片，而早前傳出消息指曾計劃采用該款芯片的小米已放棄引入。采用三星10nm工藝生產(chǎn)的驍龍835則被中興和索尼采用并在MWC2017上展示，預(yù)計4月份三星采用該款芯片的高端手機galaxy S8將會大規(guī)模上市，從事實上來說這次三星和高通成為10nm工藝的贏家!

　　當(dāng)前三星和臺積電正積極推動它們的7nm工藝量產(chǎn)，各方的消息指它們有可能本年底或明年初量產(chǎn)7nm工藝。在最關(guān)鍵的EUV(極紫外光微影)設(shè)備方面，三星早在2016年就已花費1.78億美元從ASML采購EUV設(shè)備，而臺積電則預(yù)計從今年1月裝設(shè)EUV設(shè)備，從這個方面來說前者已搶先一步。

　　臺積電今年還面臨著其他的問題，當(dāng)下它的10nm工藝良率過低迫使它集中資源提升良率，同時在開發(fā)16nmFinFET的改進工藝12nmFinFET，接下來又需要確保有足夠的產(chǎn)能滿足蘋果將用于iPhone8的A11處理器對10nm工藝產(chǎn)能的強大需求，這導(dǎo)致它難以集中更多資源開發(fā)7nm工藝。

　　三星雖然也面臨著10nm工藝良率的問題，不過它除了這方面需要投入資源外并無需更多需要擔(dān)心的地方因此可以將更多資源集中于7nm工藝，在加上在EUV技術(shù)方面先于臺積電進行投入，故有可能在7nm工藝上先于臺積電量產(chǎn)。

　　三星和臺積電在7nm工藝上有可能真正實現(xiàn)對半導(dǎo)體老大臺積電的超越，雖然在命名上這兩者的10nm工藝與Intel的10nm一樣，不過業(yè)界普遍認為它們的7nm工藝才能實現(xiàn)領(lǐng)先于Intel的10nm，當(dāng)前它們的10nm估計只是稍好與Intel的14nmFinFET，Intel預(yù)計今年下半年會量產(chǎn)10nm工藝，也因此它們才如此看重誰搶先量產(chǎn)7nm工藝。

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