IGBT市場(chǎng)特征分析及行業(yè)發(fā)展周期

• 2018年12月7日 WuZhiCong來源：互聯(lián)網(wǎng) 1210 78
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  行業(yè)去傳統(tǒng)因子迫在眉睫，IGBT擁抱互聯(lián)網(wǎng)才能轉(zhuǎn)型升級(jí)并獲得提升！

  從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了6代升級(jí)，從平面穿通型到溝槽型電場(chǎng)到截止型，芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6...

IGBT市場(chǎng)特征分析

一、市場(chǎng)規(guī)模

IGBT器件應(yīng)用范圍愈發(fā)廣泛，涉及領(lǐng)域幾乎涵蓋社會(huì)的各個(gè)方面。中國(guó)IGBT器件市場(chǎng)需求增長(zhǎng)空間巨大。2017年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模為123.65億元，約占全球市場(chǎng)的44%。

圖表：2015-2017年IGBT行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模情況?

數(shù)據(jù)來源：中研普華產(chǎn)業(yè)研究院

二、產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)度

截至2017年，我國(guó)電動(dòng)汽車、新能源汽車銷售量已達(dá)到77萬輛，保有量超過160萬輛，占世界的半壁江山。2017年主要新能源車企的銷量排名中，比亞迪和北汽超過特斯拉和寶馬，分別位居第一和第二，并且前20名家企業(yè)中，中國(guó)就有10家。

電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、輕量化構(gòu)成了未來汽車的發(fā)展方向，電動(dòng)化平臺(tái)更是汽車新技術(shù)的基礎(chǔ)。

IGBT作為新能源汽車動(dòng)力、電源系統(tǒng)中的核心器件，未來市場(chǎng)潛力巨大，各路新企業(yè)紛紛涌入。

三、影響需求的關(guān)鍵因素

隨著節(jié)能減碳環(huán)保意識(shí)增加，油電混合車及電動(dòng)車備受青睞，以確保生活環(huán)境的潔凈。

以成本結(jié)構(gòu)來看，半導(dǎo)體占單臺(tái)電動(dòng)車超過1，000美元，其中，絕緣柵雙極晶體管IGBT在車用半導(dǎo)體扮演關(guān)鍵角色。

電動(dòng)車成本結(jié)構(gòu)中最大者為電池，占比約40~50%，其次為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，約占全車成本15%至20%，其中，IGBT占驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)一半左右，即IGBT占電動(dòng)車約8%至10%成本，成電動(dòng)車降價(jià)第二關(guān)鍵零組件。

IGBT占電動(dòng)車成本8%至10%市場(chǎng)規(guī)模潛力巨大

IGBT不僅用于電動(dòng)車內(nèi)，攸關(guān)電動(dòng)車普及的充電站，站內(nèi)的高功率充電樁也會(huì)采用，因此IGBT的降價(jià)不僅有利于電動(dòng)車普及，也有助于充電樁布建進(jìn)度加速。

IGBT在制程上亦持續(xù)精進(jìn)，同時(shí)，功率模塊業(yè)者也積極發(fā)展集成度更高、散熱性更佳的IGBT模塊，芯片商也為取得IGBT新制程及技術(shù)而發(fā)動(dòng)購(gòu)并。

估計(jì)未來IGBT與電動(dòng)車的發(fā)展關(guān)聯(lián)將日益密切，IGBT市場(chǎng)規(guī)模也深具成長(zhǎng)潛力。

四、國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)

在高壓大功率IGBT芯片方面，由于對(duì)IGBT芯片可靠性要求非常高，此前，我國(guó)還沒有一個(gè)廠家能夠?qū)崿F(xiàn)6500V IGBT芯片本土產(chǎn)業(yè)化，為此，國(guó)內(nèi)企業(yè)每年需花費(fèi)數(shù)億元從國(guó)外采購(gòu)IGBT產(chǎn)品。

由于國(guó)外采購(gòu)周期長(zhǎng)達(dá)數(shù)月甚至一年以上，嚴(yán)重制約了我國(guó)軌道交通裝備的自主創(chuàng)新和民族品牌創(chuàng)立，大大降低了國(guó)內(nèi)動(dòng)車、機(jī)車裝備在國(guó)際市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。因此發(fā)展國(guó)內(nèi)的IGBT產(chǎn)業(yè)迫在眉睫。

五、主要競(jìng)爭(zhēng)因素

在國(guó)內(nèi)，盡管我國(guó)擁有最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，但是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等高端器件差距更加明顯。核心技術(shù)均掌握在發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)手中，IGBT技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場(chǎng)集中度。 跟國(guó)內(nèi)廠商相比，英飛凌、 三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商占有絕對(duì)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。形成這種局面的原因主要是：

(1)國(guó)際廠商起步早，研發(fā)投入大，形成了較高的專利壁壘。

(2)國(guó)外高端制造業(yè)水平比國(guó)內(nèi)要高很多，一定程度上支撐了國(guó)際廠商的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

所以中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢(shì)的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領(lǐng)域封裝強(qiáng)于芯片的現(xiàn)狀。

六、生命周期

通常來說，一個(gè)行業(yè)可以分為啟蒙期、成長(zhǎng)期、成熟期、衰退期這四個(gè)階段。

圖表：行業(yè)發(fā)展周期

數(shù)據(jù)來源：中研普華

我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)相對(duì)發(fā)展較慢，80年代后期，大功率晶閘管在我國(guó)才得到廣泛發(fā)展，但我國(guó)只有少數(shù)企業(yè)從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成規(guī)模化生產(chǎn)，在IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化以及大功率IGBT封裝領(lǐng)域的技術(shù)更是一片空白。因此，我國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)仍處于成長(zhǎng)期，市場(chǎng)需求依舊十分巨大。

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