IGBT行業(yè)分析 新能源將是IGBT最大增量

• 2022年9月13日 ZhouJiaLiang來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 640 37
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IGBT被稱(chēng)為電力電子行業(yè)的"CPU"，是功率半導(dǎo)體重要發(fā)展方向。IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管，它由絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型三極管兩個(gè)部分組成，性能上高于MOSFET。

IGBT行業(yè)分析

IGBT被稱(chēng)為電力電子行業(yè)的"CPU"，是功率半導(dǎo)體重要發(fā)展方向。IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管，它由絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型三極管兩個(gè)部分組成，性能上高于MOSFET。兼具M(jìn)OSFET輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度快和BJT通態(tài)電流大、導(dǎo)通壓降低、損耗小等優(yōu)點(diǎn)。目前行業(yè)技術(shù)迭代已經(jīng)從最初的平面穿通型IGBT到微溝槽場(chǎng)截止IGBT，英飛凌的IGBT芯片技術(shù)引進(jìn)迭代到了第七代。

自上世紀(jì)80年代IGBT開(kāi)啟工業(yè)化應(yīng)用以來(lái)，IGBT技術(shù)經(jīng)歷了豐富的技術(shù)演變，涌現(xiàn)出六代不同的IGBT技術(shù)方案，但這些方案主要由英飛凌、三菱電機(jī)和富士電機(jī)等海外廠商主導(dǎo)。

目前，IGBT國(guó)產(chǎn)化已成為國(guó)家關(guān)鍵半導(dǎo)體器件的發(fā)展重點(diǎn)之一，IGBT也被列為國(guó)家"02專(zhuān)項(xiàng)"的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，相關(guān)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速發(fā)展階段。同時(shí)，廣闊的IGBT市場(chǎng)中也涌現(xiàn)出一批包括中車(chē)時(shí)代電氣、比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)等在內(nèi)的掌握IGBT核心技術(shù)的企業(yè)，在產(chǎn)業(yè)政策和市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，IGBT國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速啟動(dòng)。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2022-2027年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》分析

中國(guó)已經(jīng)成為全球最大的IGBT市場(chǎng)，近年來(lái)IGBT產(chǎn)量及需求量持續(xù)增長(zhǎng)。2021年我國(guó)IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到0.26億只，需求量約為1.32億只。預(yù)計(jì)2022年我國(guó)IGBT行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到0.41億只，需求量約為1.56億只。

全球范圍內(nèi)功率半導(dǎo)體下游領(lǐng)域中，中國(guó)市場(chǎng)則按份額順序依次為汽車(chē)(27%)、消費(fèi)電子(23%)、工業(yè)電源(19%)、電力(15%)、通信及其他(16%)。在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下，IGBT下游的風(fēng)電產(chǎn)業(yè)、光伏和新能源汽車(chē)等領(lǐng)域發(fā)展迅速，對(duì)IGBT模塊需求逐步擴(kuò)大，新興行業(yè)的加速發(fā)展將持續(xù)推動(dòng)IGBT市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)。

新能源將是IGBT最大增量

目前行業(yè)需求工控為基本盤(pán)，中國(guó)年化規(guī)模增速在8%，全球在增速在3-5%，預(yù)計(jì)到2025年全球工業(yè)控制IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到170億元。

新能源汽車(chē)是最大增量，IGBT是新能源汽車(chē)中的核心元器件，應(yīng)用包括電機(jī)控制器、車(chē)載充電器(OBC)、車(chē)載空調(diào)、以及為新能源汽車(chē)充電的直流充電樁中。

新能源汽車(chē)銷(xiāo)量的快速增長(zhǎng)為IGBT帶來(lái)了新增需求，2021年在新能源乘用車(chē)已經(jīng)有著較大的銷(xiāo)售規(guī)模的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了181%的銷(xiāo)量增長(zhǎng)。

國(guó)產(chǎn)替代為行業(yè)發(fā)展重點(diǎn)目標(biāo)

當(dāng)前我國(guó)IGBT等高技術(shù)、高附加值的新型功率器件產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化程度較較低，進(jìn)口依賴(lài)程度較大。近年來(lái)，國(guó)家高度重視IGBT等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，出臺(tái)一系列政策來(lái)推進(jìn)產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，國(guó)產(chǎn)替代也成為國(guó)內(nèi)IGBT行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和促進(jìn)行業(yè)內(nèi)企業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)因素。目前，國(guó)內(nèi)IGBT相關(guān)企業(yè)的技術(shù)研發(fā)相繼取得成功，比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)、中車(chē)集團(tuán)等企業(yè)已實(shí)現(xiàn)部分相關(guān)產(chǎn)品的量產(chǎn)，此外華為也已組建專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)IGBT技術(shù)研發(fā)的人才團(tuán)隊(duì)?？梢灶A(yù)見(jiàn)，國(guó)產(chǎn)替代將是行業(yè)未來(lái)發(fā)展主旋律。

想要了解更多IGBT行業(yè)的發(fā)展前景，請(qǐng)查閱《2022-2027年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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  2022-2027年中國(guó)IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告

  IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，集合了MOSFET開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小和BJTI...

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