動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會(huì)丟失記憶。
與大部分的隨機(jī)存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設(shè)備。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2021-2026年DRAM行業(yè)深度分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報(bào)告》分析
與所有半導(dǎo)體產(chǎn)品一樣，少數(shù)公司傾向于控制特定產(chǎn)品的多數(shù)市場份額，DRAM也不例外，存儲器行業(yè)科技含量高，高昂的研發(fā)成本使得資本支出大且增速高于其他行業(yè)，從而壟斷格局牢固，巨頭優(yōu)勢下馬太效應(yīng)愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨頭已經(jīng)在DRAM領(lǐng)域形成了“高市占率→高營業(yè)額→研發(fā)投入大→技術(shù)領(lǐng)先→搶占市場”的良性循環(huán)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020年Q3三星占據(jù)41.3%市場份額，SK海力士占據(jù)28.2%市場份額，美光占據(jù)25%市場份額，其他占比5.5%。
目前國內(nèi)三大存儲器制造商分別是長江存儲，福建晉華和合肥長鑫。長江存儲主要負(fù)責(zé)NAND Flash技術(shù)研發(fā)，福建晉華和合肥長鑫則負(fù)責(zé)DRAM領(lǐng)域。2018年下半年福建晉華投產(chǎn)之后，被美國商務(wù)部以國家安全為由列入出口管制清單，美國三大半導(dǎo)體制造商在禁令當(dāng)天撤出福建晉華12寸廠，隨后技術(shù)合作方臺灣聯(lián)電表態(tài)終止合作，福建晉華于2019年3月停產(chǎn)。目前國產(chǎn)替代DRAM最大希望就在合肥長鑫。
據(jù)公開數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，今年全球存儲器的市場規(guī)模將超過1500億美金，其中NAND Flash大約在650億美元左右，而DRAM大概在911億美元。未來隨著智能手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心等對存儲器需求不斷增長，從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長，DRAM容量將以20%左右的增長率成長。
據(jù)報(bào)道，三星及SK海力士保守增加DRAM供應(yīng)量?！耙蚯捌诎雽?dǎo)體短缺情況，導(dǎo)致客戶累積了較多的庫存，(客戶)要先消耗自己的庫存，所以購買積極性不高，看待DRAM這個(gè)市場稍微保守些?！币晃恍袠I(yè)人士表示。
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預(yù)計(jì)明年DRAM產(chǎn)業(yè)將轉(zhuǎn)至供過于求 DRAM行業(yè)深度分析 
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