目前全球性能最高的是14納米晶體管，業(yè)內(nèi)大多數(shù)使用的還算是14/16/20納米制程，英特爾的10納米工藝預計會領先整整一代。
英特爾今天公布了10納米工藝制程的消息。目前全球性能最高的是14納米晶體管，業(yè)內(nèi)大多數(shù)使用的還算是14/16/20納米制程，英特爾的10納米工藝預計會領先整整一代。
英特爾10 納米工藝使用了超微縮技術 (hyper scaling)，充分運用了多圖案成形設計 (multi-patterning schemes)，可以助力英特爾延續(xù)摩爾定律的經(jīng)濟效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。未來英特爾10納米制程將用于制造英特爾全系列產(chǎn)品。
在工藝方面，英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，大約是業(yè)界其他“10納米”制程的2倍。
性能上，相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。相比業(yè)界其他所謂的“10 納米”，英特爾10納米制程也有顯著的領先性能。
另外，英特爾執(zhí)行副總裁 Stacy J.Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 納米制程技術所打造的晶圓，這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎的部分，并將會在 2017 年底前正式投產(chǎn) 10 納米制程技術的處理器。
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英特爾公布10納米工藝制程 提升25%的性能降低45%的功耗 
