2017年內(nèi)存漲價39% 廠商利潤維持40-60%高位

　　2017年已經(jīng)過去了一半，上半年處理器、主板多不景氣，顯卡市場因為挖礦爆發(fā)了一波(雖然跟游戲市場無關(guān))，唯有NAND、DRAM等存儲芯片市場繼續(xù)高漲，這兩種產(chǎn)品漲價已經(jīng)持續(xù)一整年，現(xiàn)在還看不到回轉(zhuǎn)的跡象。有分析師表示2017年DRAM內(nèi)存漲價將達到39%，NAND閃存漲價也有21%，市場價值大漲60%到70%，廠商的運營利潤也維持在40-60%的高位。

　　NAND、DRAM漲價的消息已經(jīng)讓人“審美疲勞”，早就不是消息了，不過日本野村證券分析師CW Chung日前還是發(fā)表了一份分析報告，提到了NAND、DRAM閃存市場2017年的表現(xiàn)。根據(jù)他所說，DRAM內(nèi)存均價今年漲幅達到39%，市場價值將達到730億美元，增長了70%，創(chuàng)造了歷史新紀錄。NAND閃存同樣也會大漲，預計2017年內(nèi)均價上升21%，市場價值增長64%而達到530億美元。

　　兩相對比之下，可以看出DRAM內(nèi)存漲幅高于NAND閃存，廠商的運營利潤也會維持在40-60%高水位上，大幅高于以往的0-30%。這主要是因為上游廠商產(chǎn)能更偏向NAND閃存，導致DRAM供應減少。也正因為此，NAND閃存漲幅略低，產(chǎn)能也在增大。根據(jù)他的預測，2017年Q4季度之后3D NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)換基本完成，將逐步化解供應短缺的問題。2017年NAND出貨量將增長36%，明年則增長45%，以致于均價會下滑19%，不過廠商的盈利并不會受到影響，因為智能手機、SSD市場具有很大的價格彈性，而先進工藝也會使得制造成本大幅下降。

　　結(jié)合早前的分析來看，預計2018年是NAND、DRAM漲價的一個分水嶺，特別是NAND閃存，三星、美光、東芝、西數(shù)、Intel等廠商在2017年將完成3D NAND閃存轉(zhuǎn)換，今年內(nèi)3D NAND就要超過2D NAND成為主流，而今年量產(chǎn)的主力是64層及以上的3D NAND，它被視為3D閃存的“甜點”(Sweet point)。

　　不過正如分析師所說的那樣，明年就算不漲價甚至價格下調(diào)，NAND廠商的盈利水平并不會因此變化，3D NAND閃存成本越來越低，市場價格又有彈性調(diào)整空間。