SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電力電子市場(chǎng)中展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和市場(chǎng)前景。

根據(jù)Yole Development的預(yù)測(cè)，SiC市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的10億美元快速增長(zhǎng)至2027年的63億美元，2030年更將突破150億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)35%。預(yù)計(jì)到2028年，全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。

根據(jù)中研普華研究院撰寫(xiě)的《2024-2029年中國(guó)SiC和GaN功率器件行業(yè)市場(chǎng)環(huán)境與投資分析報(bào)告》顯示：

SiC和GaN功率器件行業(yè)市場(chǎng)環(huán)境與投資分析

SiC和GaN功率器件為代表的核心材料是芯片性能的提升的基石，SiC和GaN功率器件一般指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個(gè)階段，第一代半導(dǎo)體材料以硅為代表;第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵也已經(jīng)廣泛應(yīng)用;而以氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶為代表的SiC和GaN功率器件材料，相較前兩代產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)顯著。

碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct band gap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-statelaser)的條件下，產(chǎn)生紫光(405nm)激光。

中國(guó)碳化硅外延設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模也在逐年增長(zhǎng)，2023年約為13.07億元人民幣，預(yù)計(jì)到2026年將增至26.86億元。

預(yù)計(jì)到2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約2.71億美元(折合人民幣約19.39億元)，而到2030年有望上升至43.76億美元(折合人民幣約313.14億元)，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)到49%。

SiC和GaN功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)與供應(yīng)鏈

SiC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

SiC產(chǎn)業(yè)在產(chǎn)能供應(yīng)方面一直面臨緊缺局面，特別是襯底供應(yīng)。業(yè)內(nèi)龍頭企業(yè)普遍采取與供應(yīng)商簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議的策略，以確保穩(wěn)定的需求供應(yīng)。

隨著新參與者的市場(chǎng)進(jìn)入和供應(yīng)商新增產(chǎn)能的逐步量產(chǎn)，SiC產(chǎn)業(yè)鏈從襯底、外延到器件的供應(yīng)合作已呈現(xiàn)出更為多樣化的趨勢(shì)。

GaN市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

隨著英飛凌、德州儀器等企業(yè)在GaN技術(shù)上的不斷投入，功率型GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將會(huì)進(jìn)一步加速。

SiC和GaN功率器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與挑戰(zhàn)

SiC技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

未來(lái)的SiC器件可能會(huì)在性能上進(jìn)一步提升，例如更高的擊穿電場(chǎng)、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開(kāi)關(guān)速度等，從而滿足更苛刻的工業(yè)應(yīng)用要求。

SiC器件可能會(huì)與其他技術(shù)(如氮化鎵、人工智能等)相結(jié)合，創(chuàng)造出更具創(chuàng)新性的工業(yè)應(yīng)用解決方案。

GaN技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

GaN技術(shù)將繼續(xù)發(fā)展，以滿足更高功率密度和能效的需求。

隨著技術(shù)的不斷成熟和生產(chǎn)成本的降低，GaN的應(yīng)用將變得更加廣泛。

多層次的政策及補(bǔ)貼給SiC和GaN功率器件的發(fā)展帶來(lái)了良好的支持，進(jìn)一步推動(dòng)了行業(yè)的發(fā)展。

隨著全球減碳目標(biāo)和能源轉(zhuǎn)型的推進(jìn)，SiC和GaN功率器件因其高效率、低損耗的特點(diǎn)，在新能源發(fā)電、高壓直流輸電等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，有助于推動(dòng)綠色能源的發(fā)展。

綜上，SiC和GaN功率器件市場(chǎng)具有廣闊的發(fā)展前景和巨大的市場(chǎng)潛力。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，SiC和GaN功率器件將在電力電子市場(chǎng)中發(fā)揮更加重要的作用。

在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，企業(yè)及投資者能否做出適時(shí)有效的市場(chǎng)決策是制勝的關(guān)鍵。中研網(wǎng)撰寫(xiě)的SiC和GaN功率器件行業(yè)報(bào)告對(duì)中國(guó)SiC和GaN功率器件行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)供需形勢(shì)進(jìn)行了具體分析，并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟(jì)環(huán)境、社會(huì)環(huán)境及技術(shù)環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機(jī)遇及挑戰(zhàn)。同時(shí)揭示了市場(chǎng)潛在需求與潛在機(jī)會(huì)，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準(zhǔn)確的市場(chǎng)情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù)，同時(shí)對(duì)政府部門(mén)也具有極大的參考價(jià)值。

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