我國第三代半導(dǎo)體材料市場繼續(xù)保持高速增長，總體市場規(guī)模已達(dá)到5.97億元，同比增長47.3%。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及進(jìn)程，相關(guān)項目有哪些？
2018年，在國家政策大力扶持的雙重驅(qū)動力下，我國第三代半導(dǎo)體材料市場繼續(xù)保持高速增長，總體市場規(guī)模已達(dá)到5.97億元，同比增長47.3%。
預(yù)計未來三年中國第三代半導(dǎo)體材料市場規(guī)模仍將保持20%以上的平均增長速度，到2021年將達(dá)到11.9億元。
隨著技術(shù)的發(fā)展，終端設(shè)備對于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。特別是隨著5G的即將到來，也進(jìn)一步推動了以氮化鎵(GaN)第三代半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展。
目前占據(jù)消費品電子領(lǐng)域市場主流的砷化鎵射頻功率放大器(GaAs PA)已無法滿足5G的技術(shù)需求，相比之下，氮化鎵射頻功率放大器(GaN PA)具有更高的功率、增益和效率，用于基站端能更有效地滿足未來5G技術(shù)所需要的高功率、高效率以及高通信頻段等要求。因此，GaN PA成為最有潛力的發(fā)展熱點。
研究數(shù)據(jù)顯示2016年射頻功率半導(dǎo)體(>3W)市場規(guī)模接近15億美元，預(yù)計2020年將達(dá)到26億美元，其中電信基礎(chǔ)設(shè)施(包含基站、無線回傳)射頻功率半導(dǎo)體將占據(jù)一半的市場份額。但是2016年GaAs器件市場占比較多，GaN器件僅占比約20%。2017年GaN射頻器件市場規(guī)模約為3.8億美元，預(yù)計2023年將達(dá)到13億美元。
第三代半導(dǎo)體材料即寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAS)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)，較為成熟的是碳化硅和氮化鎵被稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究尚屬起步階段。微波射頻領(lǐng)域、光電領(lǐng)域、電力電子等領(lǐng)域為第三代半導(dǎo)體提供了廣闊的市場空間。
第三代半導(dǎo)體項目進(jìn)行統(tǒng)計(4個項目)：
中科院碳化硅產(chǎn)業(yè)一體化項目
中科院碳化硅產(chǎn)業(yè)一體化項目總投資20億元，主要產(chǎn)品為碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOS晶體管等功率器件。
北京雙儀微電子項目
北京雙儀微電子科技有限公司公開表明投資意向?qū)⑼顿Y10億元在北京市亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)建造目前全國唯一具備規(guī)?；慨a(chǎn)能力的先進(jìn)工藝技術(shù)生產(chǎn)線，進(jìn)行砷化鎵微波集成電路(GaAs MMIC)芯片的代工服務(wù)，預(yù)計于2019年初投產(chǎn)使用。
2016可謂是我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“元年”，以“北京第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地”正式動工和第三代半導(dǎo)體南方基地落戶廣東事件為標(biāo)志，我國第三代半導(dǎo)體的地方基地布局在各級政府推動下正在逐步展開。
聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項目
聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項目由重慶捷舜科技有限公司投資建設(shè)，預(yù)計總投資50億元，主要從事氮化鎵外延片、芯片研發(fā)與生產(chǎn)、芯片封裝代工服務(wù)等。
據(jù)悉，按計劃，該項目在簽約后1個月內(nèi)啟動建設(shè)，12個月內(nèi)完成一期廠房建設(shè)并開始試生產(chǎn)。投產(chǎn)后的5年內(nèi)總產(chǎn)值將達(dá)到100億元，稅收將超過13億元。同時，聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項目產(chǎn)業(yè)配套項目總投資達(dá)40億元，占地300畝，還將建設(shè)中國區(qū)總部、科技研發(fā)及產(chǎn)學(xué)基地。
天岳碳化硅材料項目
天岳碳化硅材料項目由山東天岳晶體材料有限公司開發(fā)建設(shè)，總投資30億元，項目分為兩期建設(shè)，一期占地156畝，主要生產(chǎn)碳化硅導(dǎo)電襯底，預(yù)計年產(chǎn)值可達(dá)13億元;二期主要生產(chǎn)功能器件，包括電力器件封裝、模塊及裝置，新能源汽車及充電站裝置、軌道交通牽引變流器、太陽光伏逆變器等，預(yù)計年產(chǎn)值可達(dá)50～60億元。
該項目的開工標(biāo)志著國內(nèi)最大的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料項目及成套工藝生產(chǎn)線正式開建。
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