硅光電子芯片行業(yè)市場(chǎng)前瞻與未來(lái)現(xiàn)狀分析

• 劉明月 2023年10月18日 來(lái)源：中研研究院 629 36
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硅光電子芯片市場(chǎng)前景如何?2023-2029期間年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為 %。就銷量而言，硅光電子芯片和器件銷量為 ，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到 ，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 %。

硅光電子芯片市場(chǎng)前景如何?近?10?年來(lái)，硅基光電子集成的關(guān)鍵材料和器件研究引起了科學(xué)界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注，僅美國(guó)?Intel?公司對(duì)硅基光電子的研發(fā)投入就高達(dá)數(shù)十億美元。硅基光電異質(zhì)集成技術(shù)不僅擁有硅材料可大規(guī)模?CMOS?制造的特點(diǎn)，硅基光電子同時(shí)充分發(fā)揮不同材料的優(yōu)異光電特性，可實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)硅光技術(shù)無(wú)法媲美的器件指標(biāo)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)真正意義上的硅基光電子單片集成系統(tǒng)。

在“863?計(jì)劃”“973?計(jì)劃”和國(guó)家自然科學(xué)基金等支持下，我國(guó)也加大了硅基異質(zhì)集成方向的研究力度，在硅基關(guān)鍵光電子集成器件等方面取得了一系列重要成果，調(diào)制、探測(cè)、復(fù)用與解復(fù)用等分立器件已經(jīng)研制成功，異質(zhì)集成襯底、光源、高速光電調(diào)制器等方向取得了一系列重要進(jìn)展。

全球硅光子芯片和器件市場(chǎng)規(guī)模大約為 百萬(wàn)美元，預(yù)計(jì)2029年達(dá)到 百萬(wàn)美元，2023-2029期間年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為 %。就銷量而言，硅光電子芯片和器件銷量為 ，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到 ，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 %。得益于硅基材料在短波中紅外波段的高透明度、高光學(xué)非線性和成熟的CMOS制作工藝等優(yōu)勢(shì)，硅基光子技術(shù)有望為實(shí)現(xiàn)低成本、大規(guī)模單片光電子集成應(yīng)用提供一種極具前景的解決方案。

硅光電子芯片行業(yè)市場(chǎng)前瞻與未來(lái)現(xiàn)狀分析

現(xiàn)階段重點(diǎn)布局6G通信、腦科學(xué)、元宇宙、區(qū)塊鏈、量子科技、新一代人工智能、開源指令集架構(gòu)(RISC-V)等領(lǐng)域和方向，鼓勵(lì)未知領(lǐng)域新產(chǎn)業(yè)新業(yè)態(tài)的探索和發(fā)展，大力支持企業(yè)家、科學(xué)家、投資者等多元主體開展未來(lái)技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)業(yè)，打造特色鮮明、引領(lǐng)發(fā)展的未來(lái)產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)示范區(qū)。

聚焦高端芯片、關(guān)鍵設(shè)備、基礎(chǔ)原材料、基礎(chǔ)軟件等領(lǐng)域，突破存儲(chǔ)芯片、超高速光收發(fā)模塊專用芯片、功率半導(dǎo)體芯片、傳感芯片、光纖傳感網(wǎng)絡(luò)用特種光芯片與器件、OLED有機(jī)發(fā)光材料、超快激光器種子源、工業(yè)基礎(chǔ)軟件等一批產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)。

2024年底前完成硅光工藝平臺(tái)通線和工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)開發(fā)。到2025年，完成12英寸基礎(chǔ)硅光流片工藝開發(fā)，形成國(guó)際領(lǐng)先的硅光晶圓代工和生產(chǎn)制造能力。到2030年，打造12英寸硅基光電融合工藝線，建成全球前三的硅光芯片特色工藝線，器件性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先，形成廣泛的光電子芯片加工能力。

中研研究院出版的《2023-2028年中國(guó)硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示

硅光助力解決相干模塊尺寸與成本問(wèn)題。未來(lái)硅光通信向著高速率、集成化方向邁進(jìn)。另外，從互聯(lián)和計(jì)算來(lái)看，光互連可為計(jì)算提供高性能I/O接口，硅光計(jì)算產(chǎn)業(yè)整體處于初步探索階段，預(yù)計(jì)將先在部分特定應(yīng)用市場(chǎng)中形成產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。成為使后摩爾時(shí)代計(jì)算技術(shù)突破傳統(tǒng)微電子計(jì)算極限的可選方案，可實(shí)現(xiàn)更低能耗、更小延遲以及更大帶寬。

當(dāng)前國(guó)內(nèi)負(fù)極材料生產(chǎn)企業(yè)眾多，這必然導(dǎo)致負(fù)極材料市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇。未來(lái)，負(fù)極材料市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局將聚焦于各龍頭之間的競(jìng)爭(zhēng)，低端產(chǎn)能將被逐步出清，擁有核心技術(shù)和優(yōu)勢(shì)客戶渠道的企業(yè)將會(huì)獲得更多市場(chǎng)份額，硅基光電子市場(chǎng)集中度將進(jìn)一步提升。

從市場(chǎng)格局來(lái)看，國(guó)內(nèi)主要硅基負(fù)極材料生產(chǎn)企業(yè)包括貝特瑞、上海杉杉、江西紫宸、江西正拓、中科電氣、深圳斯諾等，其中能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)較少。作為國(guó)內(nèi)最早量產(chǎn)硅基負(fù)極材料的企業(yè)之一，目前貝特瑞的硅碳負(fù)極材料已經(jīng)突破至第三代產(chǎn)品，比容量從第一代的650mAh/g提升至第三代的1500mAh/g，并且正在開發(fā)更高容量的第四代硅碳負(fù)極材料產(chǎn)品。

硅光電子芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)與規(guī)模預(yù)測(cè)

硅光芯片市場(chǎng)在未來(lái)幾年可能會(huì)出現(xiàn)爆炸性增長(zhǎng)，2026年硅光電子芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)的11億美元，并預(yù)測(cè)，從2021年開始的五年內(nèi)，復(fù)合年增長(zhǎng)率為49%。硅光平臺(tái)將會(huì)出現(xiàn)多種新應(yīng)用，且認(rèn)為增長(zhǎng)最快的將是醫(yī)療健康和光計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用。

目前硅光電子芯片正于螺旋上升的狀態(tài)，是一個(gè)嶄新的技術(shù)。預(yù)計(jì)到2026年，全球硅光市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)70億美元。未來(lái)硅基光電子技術(shù)進(jìn)入芯片間互連及物聯(lián)網(wǎng)，其應(yīng)用領(lǐng)域及規(guī)模將呈指數(shù)性增長(zhǎng)。

目前我國(guó)十四五政策上來(lái)看，上海市明確提出發(fā)展光子芯片與器件，重點(diǎn)突破硅光子、光通訊器件、光子芯片等新一代光子器件的研發(fā)與應(yīng)用，對(duì)光子器件模塊化技術(shù)、基于CMOS的硅光子工藝、芯片集成化技術(shù)、光電集成模塊封裝技術(shù)等方面的研究開展重點(diǎn)攻關(guān)。湖北省、重慶市、蘇州市等政府都把硅光芯片作為“十四五”期間的重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)。

中研普華研究院預(yù)計(jì)，硅基光電子材料的銷售將從2023年真正開始，到2025年，全球硅負(fù)極材料的需求將以70%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，硅光電子芯片行業(yè)未來(lái)幾年將處于高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

中國(guó)硅光電子芯片行業(yè)市場(chǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀，通過(guò)公司資深研究團(tuán)隊(duì)對(duì)市場(chǎng)各類資訊進(jìn)行整理分析，行業(yè)研究報(bào)告可以幫助投資者合理分析硅光電子芯片行業(yè)的市場(chǎng)現(xiàn)狀，為投資者進(jìn)行投資作出行業(yè)前景預(yù)判，挖掘投資價(jià)值，同時(shí)提出行業(yè)投資策略和營(yíng)銷策略等方面的建議。

中國(guó)硅光電子芯片行業(yè)的內(nèi)外部環(huán)境、行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r、市場(chǎng)供需、競(jìng)爭(zhēng)格局、發(fā)展策略與投資建議等進(jìn)行了分析。未來(lái)硅光電子芯片市場(chǎng)現(xiàn)狀如何呢?請(qǐng)查看，中研研究院出版的《2023-2028年中國(guó)硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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  2023-2028年中國(guó)硅基光電子行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告

  硅基光電子技術(shù)的發(fā)展始于上世紀(jì)80年代，Soref發(fā)現(xiàn)了晶體硅中的等離子色散效應(yīng)，為硅基電光調(diào)制提供了理論基礎(chǔ)。硅光子技術(shù)其核心理念是“以光代電”，即利用激光束代替電子信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。...

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