中國存儲器行業(yè)發(fā)展方向 中國存儲器行業(yè)供需分析

• 周迅 2023年3月31日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 924 57
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盡管中國集成電路設計公司的平均規(guī)模仍落后于世界頂尖的集成電路企業(yè)，但差距已日益縮小。但是存儲器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領域之一，勢必會在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領域的布局，集成電路相關政策的發(fā)布，更是為

存儲器，顧名思義就是用來存儲計算機指令和數(shù)據(jù)的器件，一般是由電磁元件和很多電子器件組成電路，達到存儲的目的。也是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。

中國存儲器行業(yè)發(fā)展方向 中國存儲器行業(yè)供需分析

在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內(nèi)存條、TF卡等。在計算機的運算過程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都會保存在存儲器里，可以說存儲器是現(xiàn)代信息技術發(fā)展的核心部件之一。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國存儲器行業(yè)供需趨勢及投資風險研究報告》顯示：

由于存儲器的種類繁多，但是有很多的共性，比如存儲器往往最小的存儲單位是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路，當然了，也有的是一個CMOS晶體管或磁性材料存儲元。存儲量的增加其實就是存儲電路的疊加，很多存儲器形成了更多的存儲節(jié)點，這樣存儲的數(shù)據(jù)量增加，可能導致存儲速度變慢，這本身就是一個矛盾的綜合體。

據(jù)統(tǒng)計，存儲器在整個半導體市場規(guī)模中的占比超過三分之一，智能手機等消費級產(chǎn)品的存儲容量配置持續(xù)提升，數(shù)據(jù)中心對存儲耗用量也在持續(xù)提升，整體存儲位元的需求持續(xù)增長。

DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲速度快、存儲容量大，在計算機中常作為主存儲器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術的DRAM產(chǎn)品，容量可達512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達7200MHz，能滿足超級計算機、機器學習、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業(yè)對綠色發(fā)展的要求。

公開資料顯示，截止2021年，全球DRAM總產(chǎn)能大約是150萬片/月，到2022年底，會提升至160萬片/月左右。

目前市場上DRAM的應用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm。另外，NAND Flash的發(fā)展方向是3D堆疊，國外先進企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NAND Flash。

從技術路線來看，全息光存儲被視為下一代光存儲技術。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術，采用與傳統(tǒng)二維存儲完全不同的機理。與目前存儲方式相比，全息光存儲技術將提供超過TB(太字節(jié))級的存儲容量，能夠滿足更大數(shù)據(jù)量的存儲需求，為數(shù)據(jù)的讀取提供更快的速度。

隨著智能制造的發(fā)展，我們的生活正在改變，圖像識別、語音識別、人機大戰(zhàn)、智能機器人、深度學習、自動駕駛等應用層出不窮，數(shù)據(jù)作為這些技術的核心力量，而存儲器的需求也處于爆炸式增長的階段。

從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導體等數(shù)據(jù)存儲領域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑存儲領域發(fā)展長板。當前我國在電存儲和磁存儲領域尚不具備國際競爭優(yōu)勢，特別是磁盤存儲市場被美國和日本企業(yè)壟斷。當前全球光存儲技術及產(chǎn)業(yè)尚未進入成熟期，我國領軍企業(yè)與研發(fā)機構(gòu)有望與國際領先水平同步創(chuàng)新，甚至引領產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展方向。

從技術路線來看，全息光存儲被視為下一代光存儲技術。全息光存儲是一種高密度三維光存儲技術，采用與傳統(tǒng)二維存儲完全不同的機理。與目前存儲方式相比，全息光存儲技術將提供超過TB(太字節(jié))級的存儲容量，能夠滿足更大數(shù)據(jù)量的存儲需求，為數(shù)據(jù)的讀取提供更快的速度。

產(chǎn)業(yè)環(huán)境方面，目前閃存(NAND Flash)和內(nèi)存(DRAM)市場主要被美韓日等國外幾家企業(yè)所壟斷，如韓國三星、海力士、美國鎂光、日本東芝等，其中國際DRAM市場中，三星連續(xù)10多年蟬聯(lián)世界第一，市占率維持在60%。從全球DRAM芯片市場銷售區(qū)域來看，中國是全球第二大DRAM消費市場，僅次于美國，市場前景較好。

由于中國擁有龐大內(nèi)需市場優(yōu)勢，目前已成為全球最大集成電路消費市場。中國集成電路產(chǎn)業(yè)是獲得中國政府大力支持的一個戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，歷年集成電路設計公司規(guī)模持續(xù)增長及設計能力顯著提升。盡管中國集成電路設計公司的平均規(guī)模仍落后于世界頂尖的集成電路企業(yè)，但差距已日益縮小。

但是存儲器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領域之一，勢必會在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領域的布局，集成電路相關政策的發(fā)布，更是為存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場、政策等基礎。

本報告由中研普華咨詢公司領銜撰寫，在大量周密的市場調(diào)研基礎上，主要依據(jù)了國家統(tǒng)計局、國家商務部、國家發(fā)改委、國家經(jīng)濟信息中心、國務院發(fā)展研究中心、國家海關總署、全國商業(yè)信息中心、中國經(jīng)濟景氣監(jiān)測中心、中國行業(yè)研究網(wǎng)、全國及海外多種相關報紙雜志的基礎信息等公布和提供的大量資料和數(shù)據(jù)，客觀、多角度地對中國存儲器市場進行了分析研究。

報告在總結(jié)中國存儲器行業(yè)發(fā)展歷程的基礎上，結(jié)合新時期的各方面因素，對中國存儲器行業(yè)的發(fā)展趨勢給予了細致和審慎的預測論證。報告資料詳實，圖表豐富，既有深入的分析，又有直觀的比較，為存儲器企業(yè)在激烈的市場競爭中洞察先機，能準確及時的針對自身環(huán)境調(diào)整經(jīng)營策略。

了解更多行業(yè)數(shù)據(jù)詳情，可以點擊查閱中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2022-2027年中國存儲器行業(yè)供需趨勢及投資風險研究報告》。

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  2022-2027年中國存儲器行業(yè)供需趨勢及投資風險研究報告

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