中國(guó)現(xiàn)在芯片技術(shù)怎么樣？國(guó)產(chǎn)芯片最新突破成果有哪些？

• 2018年4月21日 chinairnwz來(lái)源：百家號(hào) 1488 99
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  2018-2024年中國(guó)Wi-Fi芯片產(chǎn)業(yè)園區(qū)發(fā)展規(guī)劃及招商引資咨詢報(bào)告

  "產(chǎn)業(yè)園區(qū)"是執(zhí)行城市產(chǎn)業(yè)職能的重要空間形態(tài)，園區(qū)在改善區(qū)域投資環(huán)境、引進(jìn)外資、促進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和發(fā)展經(jīng)濟(jì)等方面發(fā)揮積極的輻射、示范和帶動(dòng)作用，成為城市經(jīng)濟(jì)騰飛的助推器...

　　我國(guó)目前研究半導(dǎo)體、集成電路等重大技術(shù)裝備顯得迫在眉睫。研究自主研發(fā)的高科技專利，是之成為國(guó)之重器，扶持中國(guó)5G、AI、通訊等高新科技，也成為了我國(guó)各個(gè)科研機(jī)構(gòu)和技術(shù)專家們的重大任務(wù)。

　　雖然我們國(guó)家的芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相比美日已然落后，但我泱泱中華人才輩出，若奮起直追，星星之火，也可燎原。2018年以來(lái)，我國(guó)科研專家就在此方面取得了不少突出成果，比如以下兩個(gè)：

　　中科大院士制備半導(dǎo)體六量子點(diǎn)芯片，為國(guó)際之首

　　此前，在2018年2月，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在半導(dǎo)體量子芯片研制方面獲新進(jìn)展，創(chuàng)新性地制備了半導(dǎo)體六量子點(diǎn)芯片，在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體體系中的三量子比特邏輯門(mén)操控，為未來(lái)研制集成化半導(dǎo)體量子芯片邁出堅(jiān)實(shí)一步。國(guó)際應(yīng)用物理學(xué)權(quán)威期刊《物理評(píng)論應(yīng)用》日前發(fā)表了該成果。

　　開(kāi)發(fā)與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的半導(dǎo)體全電控量子芯片，是當(dāng)前量子計(jì)算機(jī)研制的重要方向之一。郭光燦團(tuán)隊(duì)中的郭國(guó)平教授研究組長(zhǎng)期致力于半導(dǎo)體量子芯片研發(fā)，近年來(lái)曾先后實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體單電荷量子比特普適邏輯門(mén)、兩電荷量子比特控制非邏輯門(mén)等成果。

　　郭國(guó)平與教授肖明、研究員李海歐、曹剛等人合作，通過(guò)理論計(jì)算分析，創(chuàng)新性地設(shè)計(jì)了T型電極開(kāi)口式六量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)使得控制比特與目標(biāo)比特有較強(qiáng)的耦合，同時(shí)兩個(gè)目標(biāo)比特之間的耦合較小，很好地滿足了實(shí)現(xiàn)兩個(gè)控制比特對(duì)目標(biāo)比特受控非門(mén)的操控要求。他們利用優(yōu)化設(shè)計(jì)的高頻脈沖量子測(cè)控電路，成功實(shí)現(xiàn)了世界上首個(gè)基于半導(dǎo)體量子點(diǎn)體系的三電荷量子比特邏輯門(mén)，進(jìn)一步提升量子計(jì)算的效率，為可擴(kuò)展、可集成化半導(dǎo)體量子芯片的研制奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

　　《物理評(píng)論應(yīng)用》審稿人認(rèn)為，這項(xiàng)工作是半導(dǎo)體量子點(diǎn)量子計(jì)算方向的一個(gè)重要進(jìn)展，詳細(xì)、清楚地展示了高水平的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，將引起學(xué)界對(duì)該領(lǐng)域極高的研究熱情。

　　北大教授制造出遠(yuǎn)超英特爾的芯片核心元器件

　　近日，北京大學(xué)電子系教授彭練矛帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)成功使用新材料碳納米管制造出芯片的核心元器件——晶體管，其工作速度3倍于英特爾最先進(jìn)的14納米商用硅材料晶體管，能耗只有其四分之一。該研究成果刊登于《科學(xué)》雜志。

　　業(yè)界認(rèn)為，集成電路芯片遵從摩爾定律，即硅材料晶體管的尺寸將無(wú)法再縮小，芯片的性能提升已經(jīng)接近其物理極限。在此背景下，人們一直在尋找能夠替代當(dāng)前硅芯片的材料，碳納米管就是主要的研究方向之一。

　　業(yè)內(nèi)認(rèn)為，碳納米管晶體管技術(shù)的突破對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)意義深遠(yuǎn)，碳基芯片的科研突破給中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)提供了換道超車的可能。我國(guó)碳納米管晶體管研發(fā)技術(shù)領(lǐng)先世界，中國(guó)巨大的市場(chǎng)和雄厚的資金更是提供了廣闊前景。

　　我國(guó)自主芯片技術(shù)還存在非常大的短板，未來(lái)發(fā)展高新科技技術(shù)顯得尤為重要。在如今科技強(qiáng)國(guó)的時(shí)代，唯有擁有自主技術(shù)，通過(guò)科技創(chuàng)新才能打造出自己的強(qiáng)國(guó)之路。

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