除了HBM 兩大存儲(chǔ)龍頭又有新動(dòng)作 行業(yè)今年迎來向上拐點(diǎn) 芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析報(bào)告

• 李波 2024年3月5日 來源：中研普華集團(tuán)、央視財(cái)經(jīng)、中研網(wǎng) 408 20
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由于AI需求強(qiáng)勁，HBM和DDR5的訂單有望增加，三星電子和SK海力士加強(qiáng)對高價(jià)值DRAM產(chǎn)品的關(guān)注，正在考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量，以加快向10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡，生產(chǎn)HBM、DDR5和LP-DDR5等高價(jià)值產(chǎn)品。

AI需求強(qiáng)勁，三星和SK海力士考慮增加高價(jià)值DRAM產(chǎn)量

由于AI需求強(qiáng)勁，HBM和DDR5的訂單有望增加，三星電子和SK海力士加強(qiáng)對高價(jià)值DRAM產(chǎn)品的關(guān)注，正在考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量，以加快向10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡，生產(chǎn)HBM、DDR5和LP-DDR5等高價(jià)值產(chǎn)品。

據(jù)界面新聞報(bào)道，由于AI需求強(qiáng)勁，HBM和DDR5的訂單有望增加，三星電子和SK海力士加強(qiáng)對高價(jià)值DRAM產(chǎn)品的關(guān)注，正在考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量，以加快向10納米第四代(1a)和第五代(1b)版本的過渡，生產(chǎn)HBM、DDR5和LP-DDR5等高價(jià)值產(chǎn)品。

國元證券認(rèn)為，2024年是Dram行業(yè)“三點(diǎn)共振”的交匯時(shí)點(diǎn)。三點(diǎn)共振指的是Dram行業(yè)經(jīng)過了2年調(diào)整后，將在24年迎來大周期向上拐點(diǎn)，DDR5在全球Dram市場滲透率從23年的15%左右提升到50%-60%的關(guān)鍵時(shí)點(diǎn)，以及AI率先帶動(dòng)的AIPC需求，進(jìn)而推動(dòng)消費(fèi)類Dram規(guī)格向服務(wù)器Dram規(guī)格靠攏的關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)。

平安證券也表示，一方面，從行業(yè)角度看，根據(jù)TrendForce預(yù)測數(shù)據(jù)，不論是DRAM還是NANDFlash，2024年的整體存儲(chǔ)合約均價(jià)有望呈現(xiàn)逐季上漲態(tài)勢，同時(shí)通過觀察以三星、SK海力士為代表的頭部存儲(chǔ)廠商近期業(yè)績的環(huán)比改善變化，存儲(chǔ)行業(yè)有望在2024年步入上行周期。

另一方面，隨著高性能計(jì)算以及AI功能需求的快速增加，以及AIPC等AI硬件產(chǎn)品持續(xù)推出，為保證AI應(yīng)用的流暢運(yùn)行，存儲(chǔ)的規(guī)格和容量均需進(jìn)行配套升級，高端存儲(chǔ)產(chǎn)品和技術(shù)將迎來滲透加速。

公司方面，德邦證券表示包括：存儲(chǔ)模組：江波龍(進(jìn)軍企業(yè)級&信創(chuàng)市場)、佰維存儲(chǔ)(研發(fā)封測一體化)、朗科科技(韶關(guān)數(shù)據(jù)中心逐步落地)、德明利(NAND主控+模組)等;存儲(chǔ)芯片：兆易創(chuàng)新(NOR+DRAM龍頭)、東芯股份、普冉股份等;DDR5配套：瀾起科技、聚辰股份等。

據(jù)新聞報(bào)道，SK海力士副總裁Kim Chun-hwan日前透露，公司正在量產(chǎn)最高規(guī)格的HBM3，計(jì)劃在今年上半年推出HBM3E，計(jì)劃到2026年量產(chǎn)HBM4;預(yù)計(jì)到2025年，HBM市場規(guī)模將增長40%。

在AI芯片需求強(qiáng)勁的背景下，作為高算力處理器中必不可少的HBM3/3E將繼續(xù)供不應(yīng)求，推動(dòng)HBM量價(jià)齊升。SK海力士在23Q4運(yùn)營利潤超預(yù)期的轉(zhuǎn)正。此前在23Q3電話會(huì)已表示，24年所有HBM3/3E產(chǎn)能已滿，并持續(xù)接到額外訂單的咨詢。

浙商證券指出，HBM突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，打破了“內(nèi)存墻”對算力提升的桎梏，其具備高帶寬、低功耗的特點(diǎn)，面對AI大模型千億、萬億的參數(shù)規(guī)模，服務(wù)器中負(fù)責(zé)計(jì)算的GPU幾乎必須搭載HBM。

目前全球HBM產(chǎn)能主要用于滿足Nvidia和AMD的AI芯片需求。隨著大型互聯(lián)網(wǎng)客戶自研AI芯片陸續(xù)推出，HBM客戶群預(yù)計(jì)將大幅擴(kuò)容，HBM對全球半導(dǎo)體市場的影響力將進(jìn)一步加大。據(jù)TrendForced預(yù)測，2024年整體HBM營收有望達(dá)89億美元，年增127%。

山西證券認(rèn)為，TSV為HBM核心工藝，新技術(shù)帶來設(shè)備、材料端升級。TSV技術(shù)主要涉及深孔刻蝕、沉積、減薄拋光等關(guān)鍵工藝，多層堆疊結(jié)構(gòu)提升工序步驟，帶動(dòng)量檢測、鍵合等設(shè)備需求持續(xù)提升。

HBM芯片間隙采用GMC或LMC填充，帶動(dòng)主要原材料low-α球硅和low-α球鋁需求增長，同時(shí)電鍍液、電子粘合劑、封裝基板、壓敏膠帶等材料需求也將增加。

公司方面，據(jù)上市公司互動(dòng)平臺(tái)表示，雅克科技：公司唯一打入SK海力士、三星、長鑫、長存等國內(nèi)外領(lǐng)先存儲(chǔ)芯片廠商的前驅(qū)體供應(yīng)商。聯(lián)瑞新材：公司產(chǎn)品中Lowα微米級球形硅微粉、Lowα亞微米級球形硅微粉主要應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片封裝等先進(jìn)封裝領(lǐng)域。

韓國將HBM確定為國家戰(zhàn)略技術(shù)

HBM即為高帶寬內(nèi)存，是三星、AMD和SK海力士于2013年發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，通過增加帶寬，擴(kuò)展內(nèi)存容量，讓更大的模型，更多的參數(shù)留在離核心計(jì)算更近的地方，從而減少內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案帶來的延遲、降低功耗。

從技術(shù)角度看，HBM使DRAM從傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)變?yōu)榱Ⅲw3D，充分利用空間、縮小面積，契合半導(dǎo)體行業(yè)小型化、集成化的發(fā)展趨勢。

海量數(shù)據(jù)催生龐大的算力需求，而存儲(chǔ)技術(shù)提升是AI性能提升的關(guān)鍵。HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸，GPU性能提升推動(dòng)HBM技術(shù)不斷升級，市場需求激增。

據(jù)報(bào)道，韓國將HBM確定為國家戰(zhàn)略技術(shù)，并將為HBM技術(shù)供應(yīng)商提供稅收優(yōu)惠，如三星電子和SK海力士。這項(xiàng)決定屬于韓國稅法修正案執(zhí)法法令草案的一部分。

相比一般研發(fā)活動(dòng)，國家戰(zhàn)略技術(shù)可享有更高的稅收減免：中小型企業(yè)可獲得最高40%至50%減免，而大型企業(yè)可獲得30%至40%減免。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報(bào)告》顯示：

HBM主要應(yīng)用于高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、圖形處理等領(lǐng)域，如AMD的EPYC系列服務(wù)器處理器就采用了HBM內(nèi)存技術(shù)。HBM的發(fā)展和應(yīng)用對于提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能和能效具有重要的意義。

HBM的優(yōu)勢使其得以乘AI爆發(fā)之勢而起，市場需求驟增。OpenAI在2022年11月發(fā)布ChatGPT后，AI大浪潮時(shí)代開啟，各大廠商相繼開發(fā)并推出大模型產(chǎn)品，大模型的訓(xùn)練和部署需要大量的AI算力芯片提供支撐，同樣大量的數(shù)據(jù)集傳輸和存儲(chǔ)也對存力提出了更高的要求。

HBM市場目前被SK海力士、三星及美光三大DRAM原廠牢牢占據(jù)，調(diào)查顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士50%、三星約40%、美光約10%。

芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

作為絕大多數(shù)電子設(shè)備的核心組成部分，芯片在如今的生產(chǎn)生活中發(fā)揮著舉足輕重的作用。

從小處說，各種數(shù)碼、電子設(shè)備的控制是依靠芯片;高速通信、人工智能、無人駕駛涉及面部識(shí)別、語音助手等的核心的算力是由芯片完成;在5G通信中，通信網(wǎng)絡(luò)連接到終端應(yīng)用和服務(wù)器，涉及大量的計(jì)算、存儲(chǔ)要基于芯片……從大處說，芯片被廣泛應(yīng)用到航天、裝備、黨政辦公領(lǐng)域，還有交通、電力、金融、電信、能源、醫(yī)療等國家戰(zhàn)略行業(yè)。

因此，有人把芯片稱為科技時(shí)代的重要生產(chǎn)力。芯片正像是第一、二次工業(yè)革命中的蒸汽機(jī)、內(nèi)燃機(jī)，其決定著一個(gè)時(shí)代生產(chǎn)力的強(qiáng)弱進(jìn)入科技時(shí)代。

國家統(tǒng)計(jì)局2024年1月17日公布的數(shù)據(jù)顯示，2023年中國的集成電路產(chǎn)量為3514億塊，而2022年為3242億塊。數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)了各種芯片，包括邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片、模擬芯片和專用芯片，以及傳感器和芯片模塊，從而計(jì)算出集成電路總量。

另外，2023年中國集成電路出口量下降1.8%至2678億塊，出口金額下降10.1%至1359億美元。2023年中國集成電路進(jìn)口量下降10.8%至4795億塊，進(jìn)口金額下降15.4%至3494億美元。

由于眾所周知的原因，近幾年我國中興通訊、華為以及眾多高科技公司在芯片，特別是高端芯片領(lǐng)域持續(xù)被打壓，有些技術(shù)和產(chǎn)品未獲許可無法獲得，而國內(nèi)短期內(nèi)也沒有辦法實(shí)現(xiàn)百分百替代。強(qiáng)化芯片自主研發(fā)，增強(qiáng)競爭力已經(jīng)成為國內(nèi)企業(yè)的共識(shí)。

在創(chuàng)新方面，這兩年來國產(chǎn)芯片在GPU芯片、射頻芯片、模擬芯片等領(lǐng)域都強(qiáng)化國產(chǎn)芯片替代，推動(dòng)國產(chǎn)芯片自給率提升。

麥肯錫預(yù)測到2030年，汽車和工業(yè)部門將分別占芯片銷售額平均增長的14%和12%，從而推動(dòng)這十年的需求增長，這說明了這些行業(yè)對芯片的需求不斷增長。盡管當(dāng)前全球半導(dǎo)體市場出現(xiàn)短期低迷，但長期來看芯片需求有望呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長態(tài)勢。

HBM 未來市場發(fā)展如何?

芯片銷售情況與世界經(jīng)濟(jì)有大致相似的發(fā)展軌跡。由于這類零部件對許多產(chǎn)品而言越來越重要，它們已成為世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展?fàn)顩r日益重要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。據(jù) Wccftech 報(bào)道，近年來高帶寬內(nèi)存的需求急劇上升，尤其是隨著人工智能熱潮的到來，讓這一趨勢愈加明顯。

三星、SK 海力士和美光是 HBM 市場的三大巨頭，目前都在開發(fā)新產(chǎn)品，特別是 HBM4 等下一代技術(shù)受到了業(yè)界的極大關(guān)注，預(yù)計(jì)未來將占據(jù)主導(dǎo)地位。

以 HBM 為代表的超高帶寬內(nèi)存技術(shù)生成類模型也會(huì)加速 HBM 內(nèi)存進(jìn)一步增大容量和增大帶寬。 算力驅(qū)動(dòng)AI服務(wù)器出貨量迅猛增長，疊加GPU搭載HBM數(shù)量提升和HBM容量與價(jià)值增長，全球HBM市場規(guī)模有望從2023年的15億美元增至2030年的576億美元，對應(yīng)2023-2030的年復(fù)合增長率達(dá)68.3%。

本研究咨詢報(bào)告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫，在大量周密的市場調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國家統(tǒng)計(jì)局、國家商務(wù)部、國家發(fā)改委、國家經(jīng)濟(jì)信息中心、國務(wù)院發(fā)展研究中心、國家海關(guān)總署、全國商業(yè)信息中心、中國經(jīng)濟(jì)景氣監(jiān)測中心、中國行業(yè)研究網(wǎng)、國內(nèi)外相關(guān)報(bào)刊雜志的基礎(chǔ)信息以及芯片專業(yè)研究單位等公布和提供的大量資料。

更多行業(yè)詳情請點(diǎn)擊中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報(bào)告》。

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