2023半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景展望與現(xiàn)狀分析

• 劉明月 2023年6月16日 來(lái)源：百度百科 中研網(wǎng) 871 54
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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是構(gòu)成計(jì)算機(jī)的重要部件。同磁性存儲(chǔ)器相比，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有存取速度快、存儲(chǔ)容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，并且存儲(chǔ)單元陣列和主要外圍邏輯電路兼容，可制作在同一芯片上，使輸入輸出接口大為簡(jiǎn)化。因此，在計(jì)算機(jī)高速存儲(chǔ)方面，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已全部替代過(guò)去的磁

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀情況如何?

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是構(gòu)成計(jì)算機(jī)的重要部件。同磁性存儲(chǔ)器相比，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有存取速度快、存儲(chǔ)容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，并且存儲(chǔ)單元陣列和主要外圍邏輯電路兼容，可制作在同一芯片上，使輸入輸出接口大為簡(jiǎn)化。因此，在計(jì)算機(jī)高速存儲(chǔ)方面，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已全部替代過(guò)去的磁性存儲(chǔ)器。

利用大容量半導(dǎo)體存儲(chǔ)器使存儲(chǔ)體的體積和成本大大縮小和下降。因此，在計(jì)算機(jī)高速存儲(chǔ)方面，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已全部替代了過(guò)去的磁性存儲(chǔ)器。用作大規(guī)模集成電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是1970年前后開(kāi)始生產(chǎn)的1千位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。隨著工藝技術(shù)的改進(jìn)，到1984年這類(lèi)產(chǎn)品已達(dá)到每片1兆位的存儲(chǔ)容量。

2023半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景展望與現(xiàn)狀分析

《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十四五數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃的通知》《關(guān)于加強(qiáng)產(chǎn)融合作推動(dòng)工業(yè)綠色發(fā)展的指導(dǎo)意見(jiàn)》等。國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的支持促進(jìn)了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的發(fā)展、增強(qiáng)了企業(yè)的自主研發(fā)能力、提高了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)的整體競(jìng)爭(zhēng)力。

根據(jù)規(guī)劃，到2025年我國(guó)將力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體技術(shù)在全球居于領(lǐng)先地位，產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到全球第一;到2030年全產(chǎn)業(yè)鏈達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，核心器件國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和串行存儲(chǔ)器三大類(lèi)。隨著半導(dǎo)體集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器容量增長(zhǎng)非?？欤瑔纹鎯?chǔ)容量已進(jìn)入兆位級(jí)水平，如16兆動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)已商品化，64兆、256兆DRAM在研制中。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的單元排列成一維結(jié)構(gòu)，猶如磁帶。首尾部分的讀取時(shí)間相隔很長(zhǎng)，因?yàn)橐错樞蛲ㄟ^(guò)整條磁帶。半導(dǎo)體串行存儲(chǔ)器中單元也是一維排列，數(shù)據(jù)按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲(chǔ)器等。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是構(gòu)成計(jì)算機(jī)的重要部件。同磁性存儲(chǔ)器相比，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有存取速度快、存儲(chǔ)容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，并且存儲(chǔ)單元陣列和主要外圍邏輯電路兼容，可制作在同一芯片上，使輸入輸出接口大為簡(jiǎn)化。因此，在計(jì)算機(jī)高速存儲(chǔ)方面，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已全部替代過(guò)去的磁性存儲(chǔ)器。

按制造工藝技術(shù)的不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分成MOS型存儲(chǔ)器和雙極型存儲(chǔ)器兩類(lèi)。70年代以來(lái)，NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路)和 CMOS電路 (見(jiàn)互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體集成電路)發(fā)展最快，用這兩者都可做成極高集成度的各種半導(dǎo)體集成存儲(chǔ)器。砷化鎵半導(dǎo)體存儲(chǔ)器如1024位靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的讀取時(shí)間已達(dá)2毫秒，預(yù)計(jì)在超高速領(lǐng)域?qū)⒂兴l(fā)展。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已逐漸運(yùn)用于汽車(chē)電子、5G通訊、智能終端等新興領(lǐng)域，尤其在ADAS系統(tǒng)、5G基站、智能家居等終端產(chǎn)品將產(chǎn)生持續(xù)的需求。從長(zhǎng)期來(lái)看，隨著庫(kù)存出清，供需關(guān)系得到改善，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)逐步復(fù)蘇。

“十三五”計(jì)劃推動(dòng)了我國(guó)云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、智能電網(wǎng)、汽車(chē)電子、移動(dòng)智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信等應(yīng)用的持續(xù)落地，帶動(dòng)半導(dǎo)體需求持續(xù)釋放，是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)期。據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，2021年中國(guó)已成為全球最大和貿(mào)易最活躍的半導(dǎo)體市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模為1,925億美元，同比增長(zhǎng)26.9%，占全球市場(chǎng)三分之一以上。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)也顯示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的銷(xiāo)售額，在4月份同比仍在大幅下滑，已降至400億美元，明顯低于去年同期的509億美元，同比下滑21.6%。不過(guò)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的報(bào)告也顯示，4月份全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的銷(xiāo)售額，環(huán)比略有增長(zhǎng)，較3月份的398億美元增長(zhǎng)0.3%。

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)目前仍處在周期性低迷中，但銷(xiāo)售額已連續(xù)兩個(gè)月環(huán)比增長(zhǎng)，可能預(yù)示著未來(lái)幾個(gè)月的持續(xù)反彈。從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)來(lái)看，在4月份，歐洲、美洲、亞太及其他市場(chǎng)半導(dǎo)體的銷(xiāo)售額，環(huán)比均有下滑，美洲、亞太及其他市場(chǎng)的銷(xiāo)售額，同比則是下滑超過(guò)20%。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的訪問(wèn)時(shí)間也比其他類(lèi)型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要快得多?？梢栽趲准{秒內(nèi)將一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入或讀取半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，而旋轉(zhuǎn)存儲(chǔ)設(shè)備(例如硬盤(pán))的訪問(wèn)時(shí)間在毫秒范圍內(nèi)。由于這些原因，除了其他用途外，它還用于計(jì)算機(jī)的主內(nèi)存(主存儲(chǔ)器)，保存計(jì)算機(jī)當(dāng)前正在處理的數(shù)據(jù)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的年銷(xiāo)售額為1240億美元，占半導(dǎo)體行業(yè)的30%。沒(méi)有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器地址解碼機(jī)制的移位寄存器、處理器寄存器、數(shù)據(jù)緩沖區(qū)和其他小型數(shù)字寄存器雖然也存儲(chǔ)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，但通常不稱為“存儲(chǔ)器”。

真空閥市場(chǎng)格局集中，除了瑞士VAT占據(jù)主導(dǎo)地位以外，MKS公司(美國(guó))、V-TEX(日本)、CKD(日本)、SMC(日本)、Ulvac(日本)等廠商也都占據(jù)一定的市場(chǎng)份額。

半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)合計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入376億元，同比增長(zhǎng)53%，對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)整體國(guó)產(chǎn)化率約22%。細(xì)分領(lǐng)域來(lái)看，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在清洗、熱處理、CMP、刻蝕設(shè)備等領(lǐng)域已取得一定市場(chǎng)份額。然而，對(duì)于光刻、測(cè)量/檢測(cè)、涂膠顯影、離子注入設(shè)備等領(lǐng)域，預(yù)估2022年國(guó)產(chǎn)化率仍低于10%，國(guó)產(chǎn)替代空間較大。

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)，2024年全球晶圓廠設(shè)備支出約920億美元，同比增長(zhǎng)21%。上述晶圓廠人士稱，按照產(chǎn)業(yè)規(guī)律，明年晶圓廠會(huì)走入一個(gè)擴(kuò)產(chǎn)周期，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求也會(huì)增長(zhǎng)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器圖表目錄

圖表：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)進(jìn)口數(shù)量

圖表：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)進(jìn)口金額

圖表：2023-2028年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)供給總量預(yù)測(cè)

圖表：2023-2028年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)需求總量預(yù)測(cè)

《半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)研究報(bào)告》由中研普華行業(yè)分析專(zhuān)家領(lǐng)銜撰寫(xiě)，主要分析了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模、發(fā)展現(xiàn)狀與投資前景，同時(shí)對(duì)行業(yè)的未來(lái)發(fā)展做出科學(xué)的趨勢(shì)預(yù)測(cè)和專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)數(shù)據(jù)分析，幫助客戶評(píng)估行業(yè)投資價(jià)值。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，預(yù)測(cè)未來(lái)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的市場(chǎng)前景，以幫助客戶撥開(kāi)政策迷霧，尋找行業(yè)的投資商機(jī)。報(bào)告在大量的分析、預(yù)測(cè)的基礎(chǔ)上，研究了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)今后的發(fā)展與投資策略，為企業(yè)在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中洞察先機(jī)，根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求及時(shí)調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供了準(zhǔn)確的市場(chǎng)情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù)。

更多半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)調(diào)研消息,可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《2023-2028年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)評(píng)估與未來(lái)發(fā)展機(jī)遇分析報(bào)告》。

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