SIA預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)5530億美元 創(chuàng)下歷史新高 半導(dǎo)體市場及發(fā)展前景

• 2021年12月7日 ZhouJiaLiang來源：互聯(lián)網(wǎng) 1367 90
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半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)預(yù)計(jì)，今年全球半導(dǎo)體的銷售額將達(dá)到5530億美元，創(chuàng)下新高，同比增長25.6%。對(duì)于2022年，SIA預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體的銷售額仍將保持增長，但增速會(huì)放緩，預(yù)計(jì)同比增長8.8%，銷售額達(dá)到6015億美元，將再創(chuàng)新高。

SIA預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)5530億美元

據(jù)報(bào)道，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)預(yù)計(jì)，今年全球半導(dǎo)體的銷售額將達(dá)到5530億美元，創(chuàng)下新高，同比增長25.6%。對(duì)于2022年，SIA預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體的銷售額仍將保持增長，但增速會(huì)放緩，預(yù)計(jì)同比增長8.8%，銷售額達(dá)到6015億美元，將再創(chuàng)新高。此外，數(shù)據(jù)顯示，10月份全球半導(dǎo)體銷售額增至448億美元，去年同期為394億美元，同比增長24%，環(huán)比增長1.1%。

另外根據(jù)SEMI的報(bào)告，今年全球半導(dǎo)體硅片出貨面積將創(chuàng)下新高，達(dá)到140億平方英寸，同比增長13.9%。未來三年，半導(dǎo)體硅片出貨量有望繼續(xù)逐年持續(xù)創(chuàng)下新高。預(yù)計(jì)最快明年下半年、最遲2023年起，大尺寸半導(dǎo)體硅片就將供不應(yīng)求。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2022-2026年中國半導(dǎo)體行業(yè)競爭格局及發(fā)展趨勢預(yù)測報(bào)告》分析

半導(dǎo)體是許多工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心，普遍應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)/醫(yī)療、軍事/政府等核心領(lǐng)域。半導(dǎo)體主要由四個(gè)組成部分組成：集成電路(約占81%)，光電器件(約占10%)，分立器件(約占6%)，傳感器(約占3%)，因此通常將半導(dǎo)體和集成電路等價(jià)。半導(dǎo)體按照產(chǎn)品種類又主要分為四大類：微處理器(約占18%)，存儲(chǔ)器(約占23%)，邏輯器件(約占27%)，模擬器件(約占13%)。

半導(dǎo)體市場及發(fā)展前景

半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)是對(duì)信息安全、國民經(jīng)濟(jì)極其重要的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。與國內(nèi)市場的龐大需求相比，國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片體量仍然較小，我國大部分芯片需要從歐美國家進(jìn)口，信息安全存巨大隱患。而且半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨核心技術(shù)缺失、自主創(chuàng)新無力、人才匱乏、融資瓶頸等問題。

無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。

近些年，在全球半導(dǎo)體設(shè)備消費(fèi)市場中，中國大陸，中國臺(tái)灣，韓國這三大市場一直排在前三位。其中，中國大陸最具發(fā)展?jié)摿Γ瑥那靶┠甑牡谌?，到最近一年的第二，一直處于上升態(tài)勢。盡管受疫情的影響，半導(dǎo)體行業(yè)及半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)依然逆勢增長。存儲(chǔ)器支出回升、先進(jìn)制程投資及中國大陸積極推動(dòng)半導(dǎo)體投資的背景下，2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約達(dá)690億美元，年增16%寫下新紀(jì)錄，預(yù)期今年將再成長逾10%并突破760億美元，而且有機(jī)會(huì)加速成長并突破800億美元。

二十一世紀(jì)以來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導(dǎo)體材料開始初露頭角。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

盡管全國已布局第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目眾多，但由于產(chǎn)線建設(shè)調(diào)試周期較長、項(xiàng)目爛尾等問題，真正量產(chǎn)的并不多;加之下游應(yīng)用市場增長，國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品商業(yè)化供給是無法滿足市場需求，尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口，且國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品成本、性能等方面競爭力不足，因此，我國第三代半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率較低，有數(shù)據(jù)顯示，目前超過八成的產(chǎn)品依賴進(jìn)口。

想要了解更多半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展前景，請(qǐng)查閱《2022-2026年中國半導(dǎo)體行業(yè)競爭格局及發(fā)展趨勢預(yù)測報(bào)告》。

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