以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，被譽(yù)為繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一，第三代半導(dǎo)體是助力社會(huì)節(jié)能減排并實(shí)現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。在此背景下，產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱。
第三代半導(dǎo)體板塊持續(xù)拉升，在5G基建、5G終端射頻和新能源車等多重推動(dòng)，以及化合物半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)下，未來(lái)成長(zhǎng)空間廣闊，相關(guān)廠商有望迎來(lái)較好的發(fā)展機(jī)遇。
第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，也稱為高溫半導(dǎo)體材料。第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表。
以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，被譽(yù)為繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一，與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體功率器件和5G通訊等領(lǐng)域。
據(jù)媒體報(bào)道，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌正在醞釀新一輪產(chǎn)品漲價(jià)，MOSFET的漲幅將有12%，預(yù)計(jì)本月中旬執(zhí)行。還有多家功率半導(dǎo)體廠商也在近期發(fā)布了漲價(jià)通知。
2025年全球碳化硅市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)
第三代半導(dǎo)體是助力社會(huì)節(jié)能減排并實(shí)現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)的重要發(fā)展方向。在此背景下，產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱。
從能源互聯(lián)網(wǎng)中的應(yīng)用前景來(lái)看，與第三代半導(dǎo)體相關(guān)的領(lǐng)域有：能源互聯(lián)網(wǎng)(高壓)、微網(wǎng)(中壓)，用電側(cè)、獨(dú)立供電系統(tǒng)。
其中，車用逆變器和車載充電器、國(guó)防軍工、軌道交通、基站和數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變器是最具潛力的應(yīng)用市場(chǎng)。
缺貨浪潮為國(guó)產(chǎn)碳化硅器件切入創(chuàng)造機(jī)會(huì)，到2025年全球碳化硅市場(chǎng)將會(huì)增加到60.4億美元，到2028年市場(chǎng)增長(zhǎng)5倍。
目前第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)憑借其耐高壓、高頻等特點(diǎn)得到業(yè)界大量采用，在Mini/MicroLED的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用也逐步開啟。
國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的區(qū)域格局已逐漸形成
從各省(直轄市、自治區(qū))企業(yè)數(shù)量來(lái)看，北京最多，浙江排名第二，江蘇、山東和廣東排名第三。
在企業(yè)布局方面，中國(guó)第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分布呈現(xiàn)出明顯的產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)。截至2020年底，全國(guó)共有29家第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)，其中華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)數(shù)量最多，占比超50%。
當(dāng)前，中國(guó)第三代半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)集中分布在華東、中南和華北地區(qū)，分別占據(jù)了51%、26%和19%;
目前全國(guó)范圍內(nèi)共有7166家碳化硅相關(guān)企業(yè)，其中河南省以963家相關(guān)企業(yè)排名第一，江蘇省、山東省分列二三名。從注冊(cè)量上看，近10年全國(guó)碳化硅相關(guān)企業(yè)注冊(cè)量總體呈波動(dòng)下降趨勢(shì)，2019年注冊(cè)量略有下降，新增679家，同比下降12%。2020年注冊(cè)量達(dá)486家，同比下降28%。截至目前(6月8日)2021年共新增103家相關(guān)企業(yè)。從注冊(cè)資本上看，47%的企業(yè)注冊(cè)資本在500萬(wàn)以內(nèi)。
欲了解更多中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析，可點(diǎn)擊中研普華《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》
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2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告
第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬...
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2今日第三代半導(dǎo)體板塊漲幅達(dá)2% 2021-2026半導(dǎo)體投資項(xiàng)目調(diào)研及市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)
3新基建提速為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供新機(jī)遇 2021第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資前景預(yù)測(cè)
4第三代半導(dǎo)體大幅上漲 未來(lái)全球半導(dǎo)體時(shí)長(zhǎng)將強(qiáng)勢(shì)反彈
52021第三代半導(dǎo)體材料將大規(guī)模應(yīng)用 阿里巴巴達(dá)摩院2021十大科技趨勢(shì)
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