臺(tái)積電2021年預(yù)計(jì)支出將達(dá)到250~280億美元 半導(dǎo)體材料行業(yè)深度分析

• 2021年2月22日 HaoChenChong來源：互聯(lián)網(wǎng) 1428 94
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根據(jù)最新的報(bào)告顯示，臺(tái)積電2020年的支出將達(dá)到5072.4億元新臺(tái)幣(折合181.74億美元)，同比2019年增加了10.2%的支出。

臺(tái)積電2021年預(yù)計(jì)支出將達(dá)到250~280億美元

根據(jù)最新的報(bào)告顯示，臺(tái)積電2020年的支出將達(dá)到5072.4億元新臺(tái)幣(折合181.74億美元)，同比2019年增加了10.2%的支出。

2020年1月發(fā)布2019年第四季度財(cái)報(bào)時(shí)，臺(tái)積電管理層預(yù)測(cè)2020年的資本支出在150~160億美元之間。但是，這一數(shù)字在去年第二季度的財(cái)報(bào)中進(jìn)行了調(diào)整，被提高到160~170億美元，最后的181.74億美元仍然超出了調(diào)整后的上限。

臺(tái)積電目前已經(jīng)量產(chǎn)5nm芯片，而3nm工藝仍在開發(fā)中。隨著5nm產(chǎn)能的擴(kuò)充，以及3nm芯片的研發(fā)和芯片工廠的建設(shè)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年的支出將達(dá)到250~280億美元。

據(jù)了解，中國擁有世界上最龐大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的60%左右，但高端芯片的需求自給率低僅為 10%。通過梳理科創(chuàng)板上市的半導(dǎo)體公司發(fā)現(xiàn)，雖然中國半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中中國在應(yīng)用和系統(tǒng)的部分水平與全球領(lǐng)軍企業(yè)水平持平，在材料和制造環(huán)節(jié)距龍頭企業(yè)還有大幅的差距。 雖然在科創(chuàng)板中也不乏涉足AI+高端芯片，諸如為云服務(wù)器和邊緣計(jì)算設(shè)備提供AI芯片解決方案的「寒武紀(jì)」和為AI、云計(jì)算提供以芯片為主解決方案的「瀾起科技」等公司?？偟膩砜矗袊雽?dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)技術(shù)仍然有面向中低端市場(chǎng)、材料配方工藝落后、實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破難的特點(diǎn)。而決定半導(dǎo)體行業(yè)能力缺陷在于短板有多短，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈短板是因?yàn)橹圃飙h(huán)節(jié)關(guān)鍵材料依賴進(jìn)口，產(chǎn)生了業(yè)內(nèi)高呼“國產(chǎn)替代”的局面。而所謂“國產(chǎn)替代”：一類是替代性需求，一類是新需求。

替代性需求是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)加大，例如初全球芯片生產(chǎn)面臨“停擺”的危機(jī)，客觀產(chǎn)生的“進(jìn)口替代”效應(yīng);另外中國半導(dǎo)體設(shè)備和材料的軟肋也存在投資研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)的“替代”需求。面目前中國的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司大部分還是通過“模仿”來進(jìn)行“替代”。目前中國對(duì)外依賴程度較高的高端芯片的提供商主要是IDM企業(yè)，在芯片制造中半導(dǎo)體設(shè)備及關(guān)鍵材料又是其中最“卡脖子”的環(huán)節(jié)。目前半導(dǎo)體材料中90%的成分為硅，半導(dǎo)體材料成本中60%為硅材料購買成本。但由于硅提純的技術(shù)壁壘高、所需材料純度高，僅有少數(shù)企業(yè)能夠生產(chǎn)高純度硅材料，導(dǎo)致供貨渠道被SK、SUMCO等少數(shù)國外材料生產(chǎn)商壟斷，而將電路蝕刻在硅晶圓裸片上又需要先進(jìn)工藝，這類硅晶圓需要依賴三星、英特爾、臺(tái)積電等境外廠商進(jìn)口;而在制造環(huán)節(jié)是通過中國半導(dǎo)體材料設(shè)備行業(yè)制造行業(yè)發(fā)展較晚，尤其是用來去除晶圓表面掩膜的光刻機(jī)的國產(chǎn)化程度低于10%，主要被荷蘭ASML和日本AMEC所占據(jù)。

新需求是指的新興系統(tǒng)、設(shè)備發(fā)展和針對(duì)下游諸如電子行業(yè)的強(qiáng)大需求而做的自主創(chuàng)新。 物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新技術(shù)興起使智能化成為社會(huì)生活各個(gè)領(lǐng)域的主流趨勢(shì)，傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)面臨轉(zhuǎn)型升級(jí)。半導(dǎo)體是產(chǎn)業(yè)智能化進(jìn)程中必不可少的關(guān)鍵電子元件，是新產(chǎn)品智能化功能實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)平臺(tái)，新技術(shù)應(yīng)用的核心載體。例如，華為發(fā)展通信領(lǐng)域5G基站的需求讓海思應(yīng)運(yùn)而生。另外，在摩爾定律推動(dòng)下新材料的迭代引發(fā)了半導(dǎo)體代次更迭。

例如前段時(shí)間，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表炙手可熱的第三代半導(dǎo)體概念股的異軍突起，被普遍唱興為中國半導(dǎo)體發(fā)展歐美日韓超車的機(jī)會(huì)。相比于第一代、二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體在電子器件、射頻電子器件、功率電子器件三大領(lǐng)域有熱導(dǎo)效率高、穩(wěn)定性好(耐高溫、耐高壓、耐大電流)、抗腐蝕的優(yōu)勢(shì)。但第三代半導(dǎo)體材料更適合應(yīng)用在高頻的大功率器件，例如新基建下的通信、人工智能、云端服務(wù)等領(lǐng)域。在電子器件領(lǐng)域，中國高端芯片仍面臨“自給困境”。

國務(wù)院發(fā)布的相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，中國芯片自給率2019年僅為30%左右。眼下，正視差距才是想要實(shí)現(xiàn)“趕超”的第一步。在半導(dǎo)體行業(yè)被公開認(rèn)可投資邏輯是“天時(shí)地利人和”。

想要了解更多半導(dǎo)體行業(yè)具體分析，請(qǐng)點(diǎn)擊中研普華出版的《2021-2026年半導(dǎo)體材料行業(yè)深度分析及投資價(jià)值研究咨詢報(bào)告》

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