半導(dǎo)體行業(yè)代表企業(yè)

• 陳博 2023年11月3日 來(lái)源：中研網(wǎng) 1145 74
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美光科技于1978年在美國(guó)創(chuàng)立，作為全球最大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)及影像產(chǎn)品制造商之一，其主營(yíng)業(yè)務(wù)包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、CMOS圖像傳感器等，2022年美光科技在全球DRAM市場(chǎng)以25%市占率排名第三，在全球NAND市場(chǎng)以12%市占率排名第五。美光于1979年便完成了64KDRAM的設(shè)計(jì)

1、三星電子：全球最大存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商，市場(chǎng)份額長(zhǎng)年穩(wěn)居首位

三星電子作為全球領(lǐng)先的電子企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋消費(fèi)電子、IT和移動(dòng)通信、設(shè)備解決方案等，尤其是在DRAM和NANDFlash半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，三星電子長(zhǎng)期穩(wěn)居全球第一的位置，據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2022年三星在DRAM和NAND市場(chǎng)全球市占率分別達(dá)43%和33%，是全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)最核心的供應(yīng)商。三星電子成立于1969年，于1984年開(kāi)發(fā)了256KbDRAM，1992年成功研發(fā)出世界首個(gè)64MbDRAM，1999年開(kāi)發(fā)出首款1GbNAND閃存，2013年成功開(kāi)發(fā)3DV-NAND技術(shù)，2018年量產(chǎn)LPDDR5DRAM，當(dāng)前三星的10nm級(jí)工藝和極紫外光刻(EUV)技術(shù)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了大容量512GBDDR5內(nèi)存模塊，同時(shí)，其第8代V-NAND內(nèi)存層數(shù)已達(dá)236層，公司存儲(chǔ)技術(shù)處于全球領(lǐng)先位置。

在整個(gè)存儲(chǔ)芯片發(fā)展歷程中，三星電子通過(guò)多次逆向投資實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)份額不斷提升。早在20世紀(jì)80年代，在DRAM市場(chǎng)低迷、價(jià)格迅速下跌時(shí)，英特爾DRAM業(yè)務(wù)虧損嚴(yán)重退出市場(chǎng)，日本企業(yè)也大幅縮減資本開(kāi)支，而三星通過(guò)采用逆向投資，不斷擴(kuò)大產(chǎn)能，促使其在20世紀(jì)90年代一舉成為全球第一大存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商;隨后在1993年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)始轉(zhuǎn)弱時(shí)，三星繼續(xù)采取逆周期投資策略投資建設(shè)8英寸DRAM產(chǎn)線;2008年，金融危機(jī)爆發(fā)導(dǎo)致DRAM價(jià)格崩盤，三星再次進(jìn)行逆周期投資，大幅擴(kuò)張存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)，行業(yè)虧損也因此進(jìn)一步加劇，導(dǎo)致后續(xù)幾年奇夢(mèng)達(dá)和爾必達(dá)都相繼宣布破產(chǎn)，三星的龍頭地位得到持續(xù)夯實(shí)。

2、SK海力士：全球知名存儲(chǔ)龍頭，AI存儲(chǔ)領(lǐng)域先行者

SK海力士為全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)龍頭企業(yè)，公司致力于生產(chǎn)DRAM、NANDFlash和CIS非存儲(chǔ)器為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品，在韓國(guó)、中國(guó)無(wú)錫和重慶共設(shè)有四個(gè)生產(chǎn)基地，2022年SK海力士以28%市占率在全球DRAM市場(chǎng)排名第二，以13%市場(chǎng)份額在全球NANDFlash市場(chǎng)排名第四。1984年SK海力士首次成功試產(chǎn)16KbSRAM，1999年收購(gòu)LG半導(dǎo)體，2004年成功研發(fā)NANDFlash產(chǎn)品，2013年首次研發(fā)全球首款TSV技術(shù)HBM，2019年成為業(yè)界首次成功研發(fā)出128層4DNAND的企業(yè)，現(xiàn)階段，SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款12層堆疊的HBM3DRAM新產(chǎn)品，其DDR5采用了EUV光刻的1αnm技術(shù)，NAND方面，2022年公司成功研發(fā)238層4DNAND閃存，2023年展示了其最新300層3DNAND產(chǎn)品原型，預(yù)計(jì)將在2024-2025年期間上市。

FY23Q2營(yíng)收環(huán)比大增，短期凈利潤(rùn)承壓。SK海力士發(fā)布2023財(cái)年第二季度財(cái)報(bào)，F(xiàn)Y23Q2公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收7.31萬(wàn)億韓元，同比-47%，環(huán)比+44%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)虧損2.88萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)虧損2.99萬(wàn)億韓元。分產(chǎn)品來(lái)看，DRAM收入占比達(dá)62%，位元增長(zhǎng)率環(huán)比+30%，ASP實(shí)現(xiàn)環(huán)比個(gè)位數(shù)增長(zhǎng);NAND收入占比達(dá)30%，位元環(huán)比增長(zhǎng)50%，ASP環(huán)比下降10%。

3、美光科技：全球最大存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商之一，研發(fā)技術(shù)優(yōu)勢(shì)市場(chǎng)突出

美光科技于1978年在美國(guó)創(chuàng)立，作為全球最大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)及影像產(chǎn)品制造商之一，其主營(yíng)業(yè)務(wù)包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、CMOS圖像傳感器等，2022年美光科技在全球DRAM市場(chǎng)以25%市占率排名第三，在全球NAND市場(chǎng)以12%市占率排名第五。美光于1979年便完成了64KDRAM的設(shè)計(jì)，并于1981年推出首款64KDRAM產(chǎn)品，1984年推出世界上最小的256KDRAM，2021年美光推出業(yè)界首個(gè)1α節(jié)點(diǎn)DRAM，2022年公司開(kāi)始向其客戶運(yùn)送其1β節(jié)點(diǎn)DRAM產(chǎn)品樣品，率先進(jìn)入1β階段，其EUV技術(shù)預(yù)計(jì)將于2024年使用。NAND方面，公司于2020年11月便實(shí)現(xiàn)全球首款176層3DNAND量產(chǎn)，2022年實(shí)現(xiàn)232層NAND產(chǎn)品出貨。

FY23Q3單季營(yíng)收高于指引中值，毛利率環(huán)比改善。FY23Q3單季度美光科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)收37.5億美元，同比-57%，環(huán)比+1.6%，盡管公司依舊虧損19億美元，但虧損幅度進(jìn)一步收窄，公司GAAP毛利率為-17.8%，Non-GAAP毛利率為-16%，均高于Q2原指引區(qū)間。拆分業(yè)務(wù)板塊來(lái)看，F(xiàn)Y23Q3公司DRAM業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收27億美元，同比-57%，環(huán)比-2%，位元出貨量環(huán)比+10%，ASP環(huán)比-10%;NAND業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10億美元，同比-56%，環(huán)比+14%，位元出貨量環(huán)比+30%，ASP環(huán)比下降15%。展望FY23Q4，公司預(yù)計(jì)營(yíng)收將同比下滑44%-38%至37-41億美元，GAAP毛利率將環(huán)比改善至-15%至-10%區(qū)間，對(duì)應(yīng)Non-GAAP毛利率為-13%至-8%。

國(guó)家網(wǎng)信辦對(duì)美光科技開(kāi)展網(wǎng)絡(luò)安全審查。2023年3月，國(guó)家網(wǎng)信辦發(fā)布消息，為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，防范產(chǎn)品問(wèn)題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)，維護(hù)國(guó)家安全，對(duì)美光科技在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。經(jīng)審查發(fā)現(xiàn)，美光科技的產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全隱患，對(duì)我國(guó)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，按照相關(guān)規(guī)定，國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光科技的產(chǎn)品。本次審查事件將影響美光公司在中國(guó)市場(chǎng)的銷售，由于美國(guó)科技限制等原因，美光中國(guó)市場(chǎng)收入占總收入比例由2018年的58%下降至2022年的11%。我們認(rèn)為，此次審查事件彰顯出國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體安全可控以及信創(chuàng)工程的高度重視，將進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。

4、兆易創(chuàng)新：全球NORFlash龍頭，利基型DRAM拓展有序

兆易創(chuàng)新成立于2005年4月，總部設(shè)于北京，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分為存儲(chǔ)器、微控制器和傳感器三大板塊，據(jù)公司官網(wǎng)顯示，公司在存儲(chǔ)領(lǐng)域公司是全球排名第一的無(wú)晶圓廠Flash供應(yīng)商，在NORFlash市場(chǎng)占有率全球第三、中國(guó)大陸第一，累計(jì)出貨量近212億顆。

NORFlash全球領(lǐng)先，DRAM、NANDFlash拓展有序。公司NORFlash技術(shù)和市場(chǎng)處于全球領(lǐng)先位置，512Kb-2Gb全容量覆蓋市場(chǎng)不同需求，2022年工業(yè)和汽車領(lǐng)域穩(wěn)步提升，車規(guī)產(chǎn)品收入同比增加80%，車規(guī)產(chǎn)品累計(jì)出貨量達(dá)1億顆，消費(fèi)市場(chǎng)以中高端客戶為主;在NANDFlash方面，38nm和24nm兩種制程產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)，容量覆蓋1-8Gb，相關(guān)產(chǎn)品已通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證;DRAM方面，公司積極切入DRAM利基市場(chǎng)，并已量產(chǎn)1X節(jié)點(diǎn)DDR4、DDR3L產(chǎn)品。

多重因素導(dǎo)致業(yè)績(jī)階段性承壓，研發(fā)投入持續(xù)增加鞏固領(lǐng)先地位。受全球經(jīng)濟(jì)下行、地緣政治沖突等多重因素影響，2022年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收81億元，同比減少4.5%，其中，存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收48億，占營(yíng)收比例達(dá)59%，歸母凈利潤(rùn)21億元，同比減少12%，盡管公司業(yè)績(jī)短期承壓，但其持續(xù)加大研發(fā)投入，2022年公司研發(fā)費(fèi)用達(dá)9億元，同比增加11%，研發(fā)費(fèi)用率達(dá)12%，公司技術(shù)人員占比約72%。

欲了解更多中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)的未來(lái)發(fā)展前景，可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)院研究報(bào)告《2023-2028年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)深度全景調(diào)研及投資前景分析報(bào)告》。

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  2023-2028年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告

  半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告中的半導(dǎo)體材料行業(yè)數(shù)據(jù)分析以權(quán)威的國(guó)家統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，采用宏觀和微觀相結(jié)合的分析方式，利用科學(xué)的統(tǒng)計(jì)分析方法，在描述行業(yè)概貌的同時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體材料行業(yè)進(jìn)行細(xì)化分...

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