今日存儲(chǔ)芯片板塊震蕩走低 存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析

• 黃婷 2023年12月18日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 1001 63
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存儲(chǔ)芯片，又稱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲(chǔ)芯片具有體積小、存儲(chǔ)速度快等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域。

18日，存儲(chǔ)芯片板塊震蕩走低。東芯股份跌超7%，雅創(chuàng)電子、佰維存儲(chǔ)、普冉股份跌超5%，商絡(luò)電子、江波龍等跟跌。

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀分析

存儲(chǔ)芯片，又稱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲(chǔ)芯片具有體積小、存儲(chǔ)速度快等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域。

存儲(chǔ)芯片技術(shù)主要集中于企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)的應(yīng)用，為訪問性能、存儲(chǔ)協(xié)議、管理平臺(tái)、存儲(chǔ)介質(zhì)，以及多種應(yīng)用提供高質(zhì)量的支持。隨著數(shù)據(jù)的快速增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)對(duì)業(yè)務(wù)重要性的日益提升，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)快速演變。從DAS、NAS、SAN到虛擬數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算，給傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)計(jì)能力提出極大挑戰(zhàn)。存儲(chǔ)芯片能夠快速實(shí)現(xiàn)把各項(xiàng)存儲(chǔ)功能都整合到一個(gè)單一芯片上，保證優(yōu)化后系統(tǒng)的高性能。

存儲(chǔ)芯片的種類很多，按用途可分為主存儲(chǔ)芯片和輔助存儲(chǔ)芯片。前者又稱內(nèi)存儲(chǔ)芯片(內(nèi)存)，可以與CPU直接交換數(shù)據(jù)，速度快、容量小、價(jià)格高。后者為外存儲(chǔ)芯片(外存)，指除內(nèi)存及緩存以外的儲(chǔ)存芯片。此類儲(chǔ)存芯片一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)，速度慢、容量大、價(jià)格低。按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲(chǔ)芯片和非易失性存儲(chǔ)芯片。易失性存儲(chǔ)芯片常見的有DRAM和SRAM。非易失性存儲(chǔ)芯片常見的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。

存儲(chǔ)芯片，是以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備。存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支，約占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四分之一至三分之一。存儲(chǔ)芯片行業(yè)上游主要為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料以及光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備等設(shè)備;中游為存儲(chǔ)芯片制造及封裝，常見的存儲(chǔ)芯片包括DRAM、NAND閃存芯片和NOR閃存芯片等;下游為消費(fèi)電子、信息通信、高新科技技術(shù)和汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域。

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈

存儲(chǔ)芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游參與者為原材料供應(yīng)商和設(shè)備供應(yīng)商;行業(yè)中游為存儲(chǔ)芯片制造商，主要負(fù)責(zé)存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)、制造和銷售，芯片具有較高技術(shù)壁壘，當(dāng)前中國(guó)存儲(chǔ)芯片在各領(lǐng)域的應(yīng)用處于起步發(fā)展階段，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被韓國(guó)、日本、美國(guó)企業(yè)所占據(jù);行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游參與者為消費(fèi)電子、信息通信、高新科技技術(shù)和汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)屬于技術(shù)、資金雙密集產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)、工藝復(fù)雜、資金投入高，對(duì)企業(yè)研發(fā)能力、技術(shù)經(jīng)驗(yàn)積累、資金實(shí)力均有較高的要求。因此，行業(yè)內(nèi)從事相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量稀少，參與主體主要以規(guī)模較大和資金實(shí)力雄厚的廠商為主，行業(yè)市場(chǎng)集中度高。受存儲(chǔ)芯片行業(yè)國(guó)外巨頭壟斷及專業(yè)性強(qiáng)等因素的影響，單一廠商難以掌握多門跨領(lǐng)域的材料工藝技術(shù)，導(dǎo)致中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)布局較為分散，廠商多布局在單一細(xì)分領(lǐng)域，

存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析

從中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來看，市場(chǎng)主要由國(guó)外存儲(chǔ)芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo)，細(xì)分領(lǐng)域也落后于國(guó)外及臺(tái)灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國(guó)內(nèi)廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國(guó)外原廠的差距，其中，兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場(chǎng)前三，聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3DNAND存儲(chǔ)芯片，直接跳過96層，加速趕超國(guó)外廠商先進(jìn)技術(shù)。值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團(tuán)旗下還包含長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(CXMT)，意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色。

今年下半年，隨著華為、蘋果等全球主要智能手機(jī)廠商新機(jī)的推出，進(jìn)一步拉動(dòng)了存儲(chǔ)芯片需求。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第三季度全球智能手機(jī)總產(chǎn)量約3.08億支，環(huán)比增長(zhǎng)13%，相較2022年同期增長(zhǎng)約6.4%。

從上游晶圓產(chǎn)值來看，今年第三季度也出現(xiàn)環(huán)比改善。全球前十大晶圓代工廠的產(chǎn)值為282.9億美元，環(huán)比增長(zhǎng)7.9%。

11月以來，多只存儲(chǔ)芯片概念股持續(xù)走強(qiáng)。在披露了子公司生產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片已小批量交付后，協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)的月內(nèi)股價(jià)從27.6元/股暴漲至 55.42元/股，漲幅高達(dá)100.65%;全資收購(gòu)韓國(guó)GSI公司進(jìn)軍存儲(chǔ)芯片測(cè)試業(yè)務(wù)的亞威股份月內(nèi) 股 價(jià) 亦 飆 漲59.63%;產(chǎn)品線覆蓋 SSD固態(tài)硬盤、DRAM內(nèi)存條、嵌入式存儲(chǔ)的移動(dòng)存儲(chǔ)第一股、朗科科技股價(jià)在11月的漲幅亦高達(dá)45.36%。

相關(guān)公司股價(jià)回暖的背后，是曾經(jīng)“跌跌不休”的存儲(chǔ)芯片價(jià)格開始在今年四季度大幅攀升。據(jù)行業(yè)知名咨詢機(jī)構(gòu)CFM閃存市場(chǎng)的數(shù)據(jù)，自10月份以來，現(xiàn)貨市場(chǎng)NANDFlash(閃存)價(jià)格指數(shù)漲幅已達(dá)40%。從華南部分存儲(chǔ)芯片經(jīng)銷廠商處記者亦了解到，目前以三星、西部數(shù)據(jù)以及金士頓為代表的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，在最近數(shù)月內(nèi)價(jià)格均出現(xiàn)顯著回升，回升幅度普遍在100元至130元之間。受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫(kù)存高企影響，自2022年至今，存儲(chǔ)芯片行業(yè)正經(jīng)歷一段“歷史級(jí)”的艱難時(shí)期。

三星電子的三季報(bào)顯示，公司存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.53萬億韓元，同比減少31%，包含存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)在內(nèi)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門(DS部門)在三季度凈虧損高達(dá)3.75萬億韓元;SK海力士在2023財(cái)年第三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收為9.0662萬億韓元，營(yíng)業(yè)虧損達(dá)1.79萬億韓元，凈虧損為2.19萬億韓元;美光科技2023財(cái)年第四財(cái)季數(shù)據(jù)顯示，其當(dāng)季實(shí)現(xiàn)營(yíng)收40.1億美元，同比減少39.64%，凈虧損為14.3億美元。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》分析：

由于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)積累，因此大部分國(guó)內(nèi)廠商都聚焦于利基型市場(chǎng)，與存儲(chǔ)三巨頭展開錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)，近年來具有代表性的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)及制造企業(yè)如兆易創(chuàng)新、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、武漢新芯等，都在 DRAM和 NANDFlash領(lǐng)域逐漸突破技術(shù)壁壘，國(guó)產(chǎn)品牌將在未來持續(xù)攪動(dòng)全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。

受中美貿(mào)易戰(zhàn)等原因影響，我國(guó)正在加大力度發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片替代進(jìn)程正在加速，這將提升存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的本土自給率，我國(guó)將會(huì)逐漸減少對(duì)存儲(chǔ)芯片的進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片銷量將日益增長(zhǎng)。除此之外，當(dāng)前我國(guó)疫情率先恢復(fù)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的經(jīng)濟(jì)政策環(huán)境良好，未來，隨著我國(guó)政府政策引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)資金扶持，以及本土存儲(chǔ)芯片企業(yè)研發(fā)動(dòng)力不斷增強(qiáng)，我國(guó)存儲(chǔ)芯片出口市場(chǎng)或?qū)U(kuò)大，這也將進(jìn)一步促進(jìn)我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大。

如果想要了解更多中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)詳情分析，可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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  2024-2029年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)分析及發(fā)展預(yù)測(cè)報(bào)告

  存儲(chǔ)芯片，是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲(chǔ)行業(yè)的具體應(yīng)用。因此，無論是系統(tǒng)芯片還是存儲(chǔ)芯片，都是通過在單一芯片中嵌入軟件，實(shí)現(xiàn)多功能和高性能，以及對(duì)多種協(xié)議、多種硬件和不同應(yīng)用的支持。...

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