市調(diào)機構(gòu)IC Insights統(tǒng)計指出，今年全球半導(dǎo)體資本支出將較去年再增加6%，預(yù)期三星、英特爾今年資本支出均年增逾兩位數(shù)，臺積電則減2%，使得臺積電今年資本支出預(yù)估100億美元，低于英特爾的120億美元、退居第三位。

　　IC Insights統(tǒng)計，今年全球半導(dǎo)體資本支出將達723.05億美元，其中，韓國三星今年資本支出居冠為125億美元，年增11%;美國英特爾估為120億美元，今年資本支出較去年大幅增加25%。臺積電去年資本支出估約102.49億美元新高，今年則是100億美元，居于第三。

　　IC Insights統(tǒng)計中看出，前十大廠商有兩家今年資本支出成長在兩成以上，分別是英特爾的年增25%與格羅方德(GlobalFoundries)的33%。格羅方德去年資本支出大減62%，今年資本支出為20億美元，且預(yù)計直接挑戰(zhàn)7nm制程。

　　目前英特爾也在沖刺7nm制程。臺積電更取得優(yōu)勢地位;董事長張忠謀2日表示，今年全球半導(dǎo)體市場會表現(xiàn)不錯，預(yù)估將較去年成長4%-5%，臺積電會優(yōu)于產(chǎn)業(yè)成長率，預(yù)估今年臺積電營收會有5%-10%成長，臺積電的制程技術(shù)亦超越任何競爭者。

　　另外，DRAM市況持續(xù)看好，三星、海力士預(yù)估將增加資本支出11%與16%。另一家存儲器廠美光，去年資本支出成長28%;美光去年底收購華亞科后，今年資本支出則年減13%為50億美元。

　　此外，晶圓代工廠中芯去年資本支出大增87%，但今年預(yù)估資本支出年減12%為23億美元。至于聯(lián)電去年資本支出估達28.42億美元新高，今年預(yù)估降3成至20億美元。

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