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日本開發(fā)出采用鍺量子點(diǎn)的硅發(fā)光元件
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http://www.china-zesir.com 發(fā)稿日期:2010-5-27
- 【搜索關(guān)鍵詞】：電子行業(yè) 研究報告 投資策略 分析預(yù)測 市場調(diào)研 發(fā)展前景 決策咨詢 競爭趨勢
- 中研網(wǎng)訊：
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近日，日本東京都市大學(xué)綜合研究所硅納米科學(xué)研究中心成功開發(fā)出采用鍺（Ge）量子點(diǎn)的硅發(fā)光元件。
2010-2015年中國塔機(jī)行業(yè)運(yùn)行格局與投資戰(zhàn)略咨詢 【出版日期】 2010年5月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個 【印2010-2015年中國水污染防治設(shè)備產(chǎn)業(yè)運(yùn)行動態(tài)與投 【出版日期】 2010年5月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個 【印2010-2015年中國成匹、成形的氈呢或無紡織物制造 【出版日期】 2010年5月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個2010-2015年中國鉛酸蓄電池產(chǎn)業(yè)運(yùn)行動態(tài)及投資前 【出版日期】 2010年5月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個 【印東京都市大學(xué)工學(xué)部教授、硅納米科學(xué)研究中心主任丸泉琢說明，該發(fā)光元件是在基于硅的pin構(gòu)造元件的i層中，嵌入了直徑為數(shù)10~100nm的鍺微小粒子，這種粒子具有提高電子和空穴之間重組率的作用，是藉由分子束外延法在約400℃溫度下形成，因此元件的制造工藝與CMOS工藝具有兼容性。
該元件活性層部分的直徑約為3μm。已確認(rèn)可在室溫下，通過電流注入可以發(fā)出波長為1.2μm左右的光線。發(fā)光的內(nèi)部量子效率為10-2。另外，如果增加注入電流、發(fā)光強(qiáng)度就會大幅提高的傾向。未來將在2～3年后開發(fā)出作為光開關(guān)工作的元件。
- ■ 與【日本開發(fā)出采用鍺量子點(diǎn)的硅發(fā)光元件】相關(guān)研究報告
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- ·2010-2015年中國塔機(jī)行業(yè)運(yùn)行格局與投資戰(zhàn)略咨詢報告
- ·2010-2015年中國水污染防治設(shè)備產(chǎn)業(yè)運(yùn)行動態(tài)與投資前景展望分析報告
- ·2010-2015年中國成匹、成形的氈呢或無紡織物制造或整理機(jī)器行業(yè)研究與投資分析報告
- ·2010-2015年中國鉛酸蓄電池產(chǎn)業(yè)運(yùn)行動態(tài)及投資前景規(guī)劃報告
- ·2010-2015年全球薄膜及碲化鎘薄膜太陽能電池行業(yè)調(diào)研及投資咨詢報告
- ·2010-2015年空調(diào)用制冷設(shè)備行業(yè)競爭態(tài)勢發(fā)展及投資策略研究報告
- ·2010-2014年中國石油鉆采專用設(shè)備制造業(yè)市場分析預(yù)測與產(chǎn)業(yè)投資建議分析報告
- ·2010-2015年中國農(nóng)業(yè)機(jī)械行業(yè)深度評估及投資前景分析預(yù)測報告
- ·2010-2015年中國核電設(shè)備產(chǎn)業(yè)全面分析及投資前景預(yù)測
- ·2010-2015年中國高壓鈉燈市場運(yùn)行動態(tài)與投資規(guī)劃分析預(yù)測報告
- ■ 市場分析
- ■ 行業(yè)新聞
- ■ 經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
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- ·2010年1-3月重慶起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2010年1-3月廣西起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2010年1-3月廣東起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2010年1-3月湖南起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2010年1-3月湖北起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
- ·2010年1-3月河南起重運(yùn)輸設(shè)備制造主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
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