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下一代存儲器技術(shù)預計
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http://www.china-zesir.com 發(fā)稿日期:2009-9-16
- 【搜索關(guān)鍵詞】：存儲器行業(yè) 研究報告 投資策略 分析預測 市場調(diào)研 發(fā)展前景 決策咨詢 競爭趨勢
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主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電
2009-2012年車床行業(yè)競爭格局與投資戰(zhàn)略研究咨詢 工業(yè)現(xiàn)代化所需的各類裝備和設施，離不開高檔數(shù)控車床與基礎(chǔ)制造裝備�！秶抑虚L期科學和技術(shù)發(fā)展2009-2013年單三相全電子電度表行業(yè)市場深度調(diào)研 本報告依據(jù)中國單三相全電子電度表市場深度調(diào)研資資料和數(shù)據(jù)，匯合業(yè)內(nèi)權(quán)威咨詢結(jié)果撰寫而成，重點2009-2012年中國油過濾機行業(yè)分析及投資咨詢報告 【出版日期】 2009年9月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個2009-2012年中國無鱗魚機行業(yè)分析及投資咨詢報告 【出版日期】 2009年9月 【報告頁碼】 350頁 【圖表數(shù)量】 150個存儲器 （FeRAM）和新興的磁性存儲器（MRAM），那么MRAM會成為下一代存儲器嗎？有沒有可能未來市場上下一代存儲器一統(tǒng)天下？華中科技大學
電子系教授繆向水在IIC-China 2009秋季展武漢站上說，下一代存儲器技術(shù)既不是MRAM，也不是FeRAM，而是目前還正處于研發(fā)階段的相變存儲器（PCM）。他預測，商業(yè)化PCM產(chǎn)品要到2012年前后才可能出來，目前大量應用的閃存發(fā)展到32nm節(jié)點后就到頂了，之后就將逐漸被PCM所取代。 FeRAM盡管已上市很多年了，但其應用市場一直很有限，打不開，這也從另一方面說明了該技術(shù)的局限性。MRAM雖然比較新（已上市2-3年），但應用市場也有限，規(guī)模也上不去。盡管這兩種存儲器都有很多超越閃存的優(yōu)點，但其市場表現(xiàn)說明市場對這些新優(yōu)勢的需求不是那么迫切，閃存的低成本對市場更有吸引力。
MRAM的最大固有發(fā)展障礙是容量，由于位存儲是靠電流產(chǎn)生的磁性來實現(xiàn)的，因此要實現(xiàn)大容量需要供給很大的電流，在越來越強調(diào)低功耗的今天，這一需求顯然是和市場大趨勢相違背的，因此MRAM不會成為下一代存儲器。
繆向水表示，目前Numonyx、英特爾和三星都在積極開發(fā)PCM，他們誰也不敢掉以輕心，因為誰在這場競賽中輸了，誰就要丟失整整一代存儲器市場。
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